H01L 21/02 — изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
Полупроводниковый гетеропереход и способ его изготовления
Номер предварительного патента: 11566
Опубликовано: 15.05.2002
Авторы: Досмаилов Меержан Абишевич, Даутов Аскар Леонидович, Кеншинбаев Нурлан Кенжебаевич, Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович
МПК: H01L 21/02
Метки: изготовления, полупроводниковый, способ, гетеропереход
Формула / Реферат:
Предлагаемая группа изобретений относится к полупроводниковому приборостроению, в частности, к созданию гетеропереходов и полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на их основе, и технологии приборостроения.Для уширения спектральной фоточувствительности гетероперехода в качестве широкозонного полупроводника используется биополимерное покрытие, которое наносится при комнатной температуре на воздухе.Результаты могут быть использованы при...
Способ создания p-n переходов
Номер предварительного патента: 8723
Опубликовано: 15.03.2000
Автор: Рамазанов Тлеккабул Сабитович
МПК: H01L 21/02
Метки: переходов, создания, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении p-n переходов в полупроводниковых приборах.Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления стабильных резких p-n переходов в монокристаллах А3В5, улучшение электрических свойств переходов, повышение их надежности и долговечности, повышение количества и качества производимых приборов за счет обхода термической технологии, простота...
Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям А3В5
Номер предварительного патента: 8359
Опубликовано: 15.12.1999
Авторы: Дмитриев Александр Григорьевич, Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович, Джаманбалин Кадыргали Коныспаевич
МПК: H01L 21/02
Метки: омических, контактов, а3в5, полупроводниковым, соединениям, изготовления, способ
Формула / Реферат:
Предлагаемое техническое решение относится к полупроводниковой текинке, в частности, к технологии изготовления омических контактов к полупроводникам и может быть использовано при создании омических контактов к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам. Достигаемый технический результат - уменьшение омического сопротивления и повышение чистоты контакта. Для создания планарного омического контакта к полупроводниковым соединениям А3В5...