Досмаилов Меержан Абишевич
Полупроводниковый гетеропереход и способ его изготовления
Номер предварительного патента: 11566
Опубликовано: 15.05.2002
Авторы: Даутов Аскар Леонидович, Кеншинбаев Нурлан Кенжебаевич, Досмаилов Меержан Абишевич, Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковый, изготовления, способ, гетеропереход
Формула / Реферат:
Предлагаемая группа изобретений относится к полупроводниковому приборостроению, в частности, к созданию гетеропереходов и полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на их основе, и технологии приборостроения.Для уширения спектральной фоточувствительности гетероперехода в качестве широкозонного полупроводника используется биополимерное покрытие, которое наносится при комнатной температуре на воздухе.Результаты могут быть использованы при...