H01L 49/02 — тонкопленочные или толстопленочные приборы
Способ получения пленки CdTe с нанокристаллической структурой
Номер предварительного патента: 18150
Опубликовано: 15.12.2006
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна
МПК: H01L 49/02
Метки: способ, структурой, получения, нанокристаллической, пленки
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe с нанокристаллической структурой с размером зерен 80 Å путем электроосаждения при постоянном потенциале с наложением импульсного тока из органического растворителя, содержащий кадмий (II) и теллур (IV) не позволяет полностью устранить соосаждение...
Способ получения пленки CdTe
Номер предварительного патента: 13843
Опубликовано: 15.12.2003
Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Григорьева Валентина Петровна, Стацюк Вадим Николаевич
МПК: H01L 49/02
Метки: получения, способ, пленки
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам полученияпленок полупроводникового соединения CdTe,применяемых в солнечных элементах, а также винфракрасных детекторных системах. Известныйспособ получения пленок CdTe путемэлектроосаждения при постоянном потенциале наповерхности электропроводной подложки вприсутствии фонового электролита, содержащегокадмий (II) и теллур (IV), сложен и не позволяетполучать пленки высокого качества. Благодарятому, что в...
Способ получения пленок теллурида ртути и их идентификации
Номер предварительного патента: 10138
Опубликовано: 16.04.2001
Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Абдрахимова Айжамал Рахматуллаевна, Фогель Лидия Алексеевна
МПК: H01L 49/02
Метки: идентификации, теллурида, пленок, получения, способ, ртути
Формула / Реферат:
Изобретение относится к области получения пленок полупроводникового соединения HgTe.Предлагаемый электрохимический способ получения пленок HgTe и их идентификации является одним из наиболее технологичных и дешевых. Основное преимущество - возможность проведения идентификации пленок HgTe по мере их получения методом электроосаждения на поверхности электрода из материала с n-типом проводимости - стеклоуглерода или титана в присутствии фонового...