Способ получения пленок теллурида ртути и их идентификации

Номер предварительного патента: 9507

Опубликовано: 16.10.2000

Автор: Коробова Наталья Егоровна

МПК: C04B 35/46

Метки: способ, пленок, сегнетоэлектрических, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких сегнетоэлектрических пленок, в частности к получению пленок титаната бария, и может быть использовано в технологии электронных материалов.Способ получения сегнетоэлектрических пленок титаната щелочнозе­мельных металлов включает нанесение на подложку методом электро­фореза в спиртовой среде раствора алкоголята титана и порошка щелочнозе­мельного металла с размером зерна не более 0,1 мкм,...

Номер предварительного патента: 4275

Опубликовано: 14.03.1997

Авторы: Омаров Марат Ахметович, Таурбаев Тохтар Искатаевич, Каппаров Кайрат Каппарович, Буранбаев Мэлс Жаканович

МПК: C30B 35/00

Метки: устройство, способ, осуществления, углеродных, пленок, получения, монокристаллических

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения углеродных пленок, применяемых в обрабатывающей, ювелирной промышленностях, оптике (в том числе рентгеновской) и электронике. Технический результат, достигаемый изобретением, заключается в получении монокристаллических углеродных пленок. Способ получения монокристаллических пленок в вакуумной камере включает получение углеродной плазмы путем распыления катода-мишени из твердого углерода, ускорения ионов...

Номер патента: 1257

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: C30B 19/00

Метки: способ, пленок, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения. тонких отделяемых пленок АIII - BV - методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретения - предотвращение разрушения пленок и уменьшение расхода Ga. Способ включает последовательное формирование металлического слоя и пленки Alx Ga1-xAs или АlxGа1-xP на затравочной подложке GaAs или GaP из расплава, содержащего Sn, A1 и 8-10 ат.% Ga, отделение...

Номер предварительного патента: 5427

Опубликовано: 15.12.1997

Авторы: Абдуллина Айна Амиржановна, Всеволодов Эдуард Борисович, Латыпов Игорь Фалихович, Очилов Куйли Долиевич

МПК: A01K 67/02, G01N 21/00

Метки: способ, фенотипа, овец, масти, идентификации, селекционируемых

Формула / Реферат:

Изобретение относится к животноводству, а именно, к овцеводству, и может быть использовано для идентификации фенотипа по окраске.Способ идентификации фенотипа селекционируемых по масти овец включает исследование шерстного покрова микрофотометрическим анализом, при котором измеряют светопропускание волоса по его длине через каждые 0,3-0,4 мм, полученные показатели сравнивают с эталоном и по результатам сравнения осуществляют идентификацию...

Номер патента: 1311

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/208

Метки: способ, получения, фосфида, отделенных, галлия-алюминия, арсенида, пленок

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений типа А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является экономия подложечного материала за счет уменьшения глубины травления. Приведение алюминийсоцержашего расплава олова в контакт с подложкой арсенида или фосфида галлия сопровождается образованием...