C30B 35/00 — Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой

Номер патента: 31438

Опубликовано: 15.08.2016

Авторы: ПЕЛЛЕТЬЕ Давид, ЖУЕНИ, Анис, ГАРАНДЕ, Жан-Поль

МПК: C30B 11/00, C01B 33/02, C30B 28/06...

Метки: способ, источником, дополнительным, тепла, снабженное, направленной, устройство, получения, кристаллического, материала, боковым, осуществления, кристаллизацией

Текст:

...ной близости от указанной линии тройного контактирования. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что индукционная катушка (6) размещается на расстоянии от 1 до 20 мм по отношению к указанной линии тройного контактирования в перпендикулярном направлении . 14. Способ по п.12, отличающийся тем, что указанный кристаллический материал является полупроводниковым материалом, который имеет более высокую электропроводность в жидкой фазе,чем в твердой...

Номер инновационного патента: 22589

Опубликовано: 15.06.2010

Автор: Каримова Люция Монировна

МПК: C25B 1/12, C01B 33/02, C30B 35/00...

Метки: способ, меди, силиката, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области порошковой металлургии и может быть использовано для получения дисперсного порошка силиката меди. Силикат меди применяется в качестве основного компонента при изготовлении противоизносной хемиплакирующей смазочной композиции (ХПСК), которая способствует снижению износа в тяжелонагруженных узлах трения промышленного оборудования.Сущность изобретения заключается в том, что силикат меди получа­ют путем электролиза из...

Номер предварительного патента: 18788

Опубликовано: 17.09.2007

Авторы: Джанпайзов Ербол Курбаналиевич, Серимбетов Мурат Мейрбахытович, Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Жакипбаев Бибол Ермуратович, Есимов Беген Омарович, Адырбаева Татьяна Амановна

МПК: C30B 35/00

Метки: подачи, кристаллизационную, шихты, аппарата, головка, кислорода, печь

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области выращивания кристаллов методом Вернейля, в частности к головке аппарата для подачи шихты и кислорода в кристаллизационную печь.Снижение потерь шихты и рациональное использование времени технологического процесса синтеза кристаллов достигается тем, что в головке аппарата для подачи шихты и кислорода в кристаллизационную печь, содержащей конус, внешний цилиндр, тонкую мембрану, затвор для засыпки шихты, вибрационную...

Номер предварительного патента: 17773

Опубликовано: 15.09.2006

Авторы: Серимбетов Мурат Мейрбахытович, Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Есимов Беген Омарович, Жакипбаев Бибол Ермуратович, Ахмедов Мурад Абдумавланович, Адырбаева Татьяна Амановна, Джанпайзов Ербол Курбаналиевич

МПК: C30B 35/00, C30B 29/20

Метки: синтеза, установка, кристаллов

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области синтеза минералов, в частности к установкам для синтеза кристаллов корунда и его разновидностей.Повышение температуры прогрева шихты за счет увеличения степени смешения газов кислорода и водорода достигается тем, что в установке для синтеза кристаллов корунда и его разновидностей, содержащей головку аппарата с бункером для шихты с ситом на дне, трубку для подачи смеси шихты с газом, горелку, керамическое сопло,...

Номер предварительного патента: 4275

Опубликовано: 14.03.1997

Авторы: Буранбаев Мэлс Жаканович, Таурбаев Тохтар Искатаевич, Омаров Марат Ахметович, Каппаров Кайрат Каппарович

МПК: C30B 35/00

Метки: способ, устройство, осуществления, монокристаллических, получения, пленок, углеродных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения углеродных пленок, применяемых в обрабатывающей, ювелирной промышленностях, оптике (в том числе рентгеновской) и электронике. Технический результат, достигаемый изобретением, заключается в получении монокристаллических углеродных пленок. Способ получения монокристаллических пленок в вакуумной камере включает получение углеродной плазмы путем распыления катода-мишени из твердого углерода, ускорения ионов...