Устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых пленок

Номер патента: 1257

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: C30B 19/00

Метки: получения, пленок, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения. тонких отделяемых пленок АIII - BV - методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретения - предотвращение разрушения пленок и уменьшение расхода Ga. Способ включает последовательное формирование металлического слоя и пленки Alx Ga1-xAs или АlxGа1-xP на затравочной подложке GaAs или GaP из расплава, содержащего Sn, A1 и 8-10 ат.% Ga, отделение...

Номер патента: 1312

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/78

Метки: тонкопленочных, полупроводниковых, структур, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для разделения на кристаллы тонкопленочных полупроводниковых структур, используемых отдельно от затравочной подложки. Цель изобретения - расширение технологических возможностей способа за счет совмещения операций отделения структуры и разделения ее на кристаллы. При отделении от затравочной подложки выращенной на ней тонкопленочной полупроводниковой структуры...

Номер патента: 1311

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/208

Метки: получения, отделенных, фосфида, пленок, арсенида, способ, галлия-алюминия

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений типа А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является экономия подложечного материала за счет уменьшения глубины травления. Приведение алюминийсоцержашего расплава олова в контакт с подложкой арсенида или фосфида галлия сопровождается образованием...

Номер предварительного патента: 9237

Опубликовано: 14.07.2000

Авторы: Запасный Валерий Владимирович, Корендясева Елена Владимировна, Седелев Валерий Александрович

МПК: B03B 5/64

Метки: седиментации, устройство, суспензий, жидкостной

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технике определения дисперсного (гранулометрического) состава пыли по составляющим фракциям круп­ности частиц методом гравитационного осаждения. В нем использует­ся информация о скорости оседания частиц в жидкости.Сущность изобретения заключается в том, что в устройстве со­держится горизонтально жестко закрепленный упругий элемент, стек­лянный цилиндр и опущенные в него шток с чашкой, при этом оно дополнительно ...

Номер предварительного патента: 4275

Опубликовано: 14.03.1997

Авторы: Таурбаев Тохтар Искатаевич, Буранбаев Мэлс Жаканович, Каппаров Кайрат Каппарович, Омаров Марат Ахметович

МПК: C30B 35/00

Метки: способ, углеродных, монокристаллических, осуществления, устройство, пленок, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения углеродных пленок, применяемых в обрабатывающей, ювелирной промышленностях, оптике (в том числе рентгеновской) и электронике. Технический результат, достигаемый изобретением, заключается в получении монокристаллических углеродных пленок. Способ получения монокристаллических пленок в вакуумной камере включает получение углеродной плазмы путем распыления катода-мишени из твердого углерода, ускорения ионов...