H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 31627

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Лаврищев Олег Александрович

МПК: H01L 31/06

Метки: комбинированный, энергии, солнечной, преобразователь

Формула / Реферат:

Предлагается комбинированный преобразователь солнечной энергии, состоящий из герметичной рабочей камеры прямоугольной формы, образованной фронтальной прозрачной пластиной и тыльной пластиной, соединенными по периметру герметизирующей прокладкой, фотопреобразователя на основе негерметизированных солнечных элементов, расположенного внутри рабочей камеры параллельно фронтальной пластине с зазором к ней и закрепленного на тыльной пластине, причем по...

Номер патента: 31462

Опубликовано: 31.08.2016

Авторы: РАМПИНЕЛЛИ, Флавио, АЛФАНИ, Роберта, КАПОНЕ, Клаудиа

МПК: B28B 7/36, C04B 28/04, B29C 67/24...

Метки: способ, применение, неструктурное, изготовления, цементный, тонкопленочное, фотоэлектрическое, основе, устройство, продукт

Текст:

...хностине более 500 нм цементному продукту на этапе разливки. 21. Способ по п.19 или 20, отличающийся тем,что используют металлическую литейную форму,имеющую вертикальные стенки для цементных применений многократного типа, состоящую из рядов множества стенок,разнесенных и соединенных вместе, по крайней мере, частично или полностью покрытых с внутренней стороны,приспособленных производить одновременно множество продуктов равной или разной...

Номер патента: 31438

Опубликовано: 15.08.2016

Авторы: ПЕЛЛЕТЬЕ Давид, ГАРАНДЕ, Жан-Поль, ЖУЕНИ, Анис

МПК: C01B 33/02, C30B 11/00, C30B 28/06...

Метки: снабженное, боковым, получения, тепла, дополнительным, направленной, кристаллического, кристаллизацией, способ, источником, осуществления, устройство, материала

Текст:

...ной близости от указанной линии тройного контактирования. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что индукционная катушка (6) размещается на расстоянии от 1 до 20 мм по отношению к указанной линии тройного контактирования в перпендикулярном направлении . 14. Способ по п.12, отличающийся тем, что указанный кристаллический материал является полупроводниковым материалом, который имеет более высокую электропроводность в жидкой фазе,чем в твердой...

Номер патента: 31396

Опубликовано: 29.07.2016

Авторы: Сарбасов Дастан Джурмаханбетович, Новохатский Владимир Николаевич

МПК: H01L 31/052

Метки: способ, водоподъемника, повышения, фотоэлектрического, эффективности

Формула / Реферат:

Изобретение относится к возобновляемым источникам энергии, в частности, к фотоэлектрическим водоподъемникам.Задача изобретения - создание эффективного водоподъемника.Технический результат изобретения - упрощение конструкции, снижение трудоемкости при его монтаже и эксплуатации в различных условиях местности, повышение эффективности охлаждения и очистки поверхности фотоэлектрических панелей за счет введения системы электронного управления работой...

Номер полезной модели: 1523

Опубликовано: 30.06.2016

Авторы: Бектурганов Нуралы Султанович, Таукенов Амангельды Сагатович, Лишик Сергей Иванович, Докторов Вячеслав Викторович, Аукенов Талгат Бейсембаевич, Трофимов Юрий Васильевич

МПК: H01L 33/48

Метки: светодиодная, нить

Формула / Реферат:

Полезная модель относится к области светотехники и оптоэлектроники и может быть использована в качестве источника света в светодиодных лампах.Техническим результатом являются увеличение поверхности теплообмена и уменьшение теплового сопротивления между светодиодной нитью и газовой средой в лампе, уменьшение температуры светодиодов в нити и, соответственно, повышение срока службы светодиодов.Это достигается тем, что светодиодная нить, состоящая...

Номер инновационного патента: 31261

Опубликовано: 15.06.2016

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Лаврищев Олег Александрович, Мессерле Владимир Ефремович, Антощенко Евгений Владимирович, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 31/06

Метки: излучения, фотопреобразователь, концентрированного

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыловым контактами, размещенного внутри фотоприемной камеры, образованной прозрачной пластиной и тыльным электродом, герметично соединенными по периметру так, что между фотоэлектрическим элементом и прозрачной пластиной имеется зазор, а тыльный контакт непосредственно присоединен к тыльному электроду, причем в фотоэлектрическом...

Номер патента: 31194

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: РОМБОЛА' ОТТАВИО, Антонио, КАПОНЕ, Клаудиа, АЛФАНИ, Роберта

МПК: H01L 31/048, C04B 41/63

Метки: изготовления, поверхностью, устройство, применение, электрическое, цементное, способ, гладкой, изделие, ним

Текст:

...ку здания. 14. Электрическое устройство, отличающееся тем, что включает одно или более изделий по п.п.9-13. 15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что является фотоэлектрическим устройством. 16. Применение одного или более изделий по п.п.9-13 в качестве компонентов электрических, в частности фотоэлектрических устройств. 17. Применение по п.16, при котором устройство используется в области интеграции фотоэлектрических модулей в оболочку...

Номер инновационного патента: 31176

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Хусурова Гульнур Марсовна, Журинов Мурат Журинович, Леонтьева Ксения Александровна, Гуделева Наталья Николаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/06, C23C 16/30, C01G 9/08...

Метки: пленок, изготовления, способ, тонких

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам изготовления тонких нанокристаллических пленок сульфида цинка как оптического элемента прозрачного в инфракрасной области с улучшенным пропусканием в видимой области. Пленка сульфида цинка может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения ZnS с заданной стехиометрией и шириной запрещенной зоны 4,0...

Номер инновационного патента: 31175

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Хусурова Гулинур Марсовна, Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Леонтьева Ксения Александровна, Гуделева Наталия Николаевна

МПК: H01L 31/18, G02B 5/20, H01L 31/06...

Метки: сульфида, коллоидных, приготовления, способ, растворов, кадмия

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления коллоидного раствора сульфида кадмия. Известные способы получения коллоидного раствора наночастиц сульфида кадмия используют органические растворители, повышенную температуру, токсичные растворы сероводорода и процесс проводят в несколько стадий.Предлагаемый способ позволяет упростить процесс за счет использования электрохимического метода, который проводится в одну стадию при невысоком...

Номер инновационного патента: 30678

Опубликовано: 15.12.2015

Авторы: Туякбаев Даулет Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович, Болегенова Салтанат Алихановна

МПК: H01L 27/00

Метки: изделий, установка, железа, закаливания

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области измерительных приборов и электронных систем.Установка для закаливания изделий из железа включает в себя бак с водой, печь и устройство, удерживающее раскаленные изделия из железа.Новым является то, что над раскаленными изделиями устанавливают цветодатчик, который при достижении цвета раскаленного изделия до необходимого (фиолетового или красного, или другого) выдает сигнал, приводящий в действие, с...

Номер патента: 30495

Опубликовано: 15.10.2015

Авторы: КОУДУРИЕР, Николас, КАМЕЛ, Дэнис, ПИХАН, Этьенн

МПК: F28F 3/04, C30B 29/06, C30B 11/00...

Метки: системы, материала, кристаллизации, теплообменник, полупроводникового, отверждения

Формула / Реферат:

31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...

Номер полезной модели: 1319

Опубликовано: 17.08.2015

Авторы: Исмаилов Серик Умирбаевич, Сокол Евгений Иванович, Никитин Виктор Алексеевич, Хрипунов Геннадий Семенович, Хусанов Алишер Евадиллоевич, Саипов Абдилла Абибуллаевич, Сатаев Марат Исакович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: концентратор, излучения, сегментный

Формула / Реферат:

Область применения относитсяк оптическим приборам, в частности к концентраторам солнечных фотоэнергетических установок, и инициирована необходимостью дальнейшего снижения их себестоимости при хранении их технических параметров.Сущность изобретения заключается в создании сегментного параболического концентратора излучения на основаниииз кругового массива профилированных ребер, задающих профиль изгиба светоотражающих сегментов...

Номер инновационного патента: 30246

Опубликовано: 17.08.2015

Авторы: Омаров Марат Ахметович, Чучвага Николай Алексеевич, Токмолдин Нурлан Серекболович, Клименов Василий Васильевич, Токмолдин Серекбол Жарылгапович

МПК: C30B 30/02, C30B 29/06, C30B 30/04...

Метки: способ, структур, кремния, тонкопленочных, основе, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...

Номер инновационного патента: 30108

Опубликовано: 15.07.2015

Авторы: Тулеушев Юрий Жианшахович, Володин Валерий Николаевич

МПК: H01L 39/00, C30B 31/22, C30B 31/20...

Метки: кадмием, легирования, тантала, способ

Формула / Реферат:

СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ТАНТАЛА КАДМИЕМИзобретение относится к области получения специальных сплавов в виде по­крытий или самонесущих изделий и может быть использовано в металлургии, машино­строении, материаловедении и других отраслях.Способ легирования тантала кадмием включает одновременное со сдвигом в пространстве распыление металла и легирующего элемента в нанодисперсное состоя­ние и соосаждение их субслоями в виде островкового покрытия размером...

Номер инновационного патента: 30019

Опубликовано: 15.06.2015

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/208

Метки: получения, пленки, монокристаллической, фосфида, способ, свободно, галлия-алюминия, расположенной, арсенида

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно жидкостной эпитаксии соединений А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.Достигаемый технический результат снижение расходамонокристаллической подложки арсенида или фосфида галлия и получение свободно расположенных монокристаллических пленок большой площади.Предлагается способ получения...

Номер патента: 29675

Опубликовано: 16.03.2015

Автор: Сусанов Юрий Асланович

МПК: H01L 31/04, F03G 6/06

Метки: батарея, солнечная, yurasus

Формула / Реферат:

Солнечная батарея «YURASUS» относится к возобновляемым источникам получения электроэнергии. Пленочные полимерные солнечные батареи получили в настоящее время распространение,™, они экологичны в изготовлении и эксплуатации, в два раза дешевле, в пересчете на удельную производительность, легче на порядок ,по сравнению со стеклянными, с кристаллическим кварцевым покрытием и не греются при генерации электроэнергии. Недостатком является ...

Номер патента: 29081

Опубликовано: 15.10.2014

Авторы: ПЛЕБАНИ, Марко, КАПОНЕ, Клаудиа, АЛФАНИ, Роберта

МПК: H01L 31/0392, E04D 13/18, C04B 28/04...

Метки: особенно, изделие, изготовления, способ, цементное, подложки, подходящее, фотоэлектрического, качестве, модуля, тонкопленочного

Текст:

...ховатость поверхностине более 500 нм цементному изделию на этапе формования. 12. Способ по п.10, отличающийся тем, что включает стадию смешивания компонентов цементного изделия в пластичном состоянии с помощью каландрирования до формования в прессформе. 13. Применение цементного изделия,сформированного прессованием в форме, со средней шероховатостью поверхностине более 500 нм в виде подложки для пленки в тонкопленочных фотоэлектрических...

Номер патента: 28774

Опубликовано: 15.07.2014

Авторы: ЛУ, Сунвэй

МПК: H01L 31/0216, H01L 31/0236, H01L 31/0224...

Метки: элемент, кремниевый, солнечный, дымчатостью, способы, тонкопленочный, обладающий, изготовления, усовершенствованной

Формула / Реферат:

Способ повышения дымчатости комплексного покрытия, имеющего верхний слой и подстилающий слой, с использованием способа нанесения покрытия посредством химического осаждения из газовой фазы, включающий по меньшей мере одно из: повышения скорости потока предшественника; снижения скорости потока газа-носителя; повышения температуры подложки; повышения скорости потока воды; снижения скорости потока выпускных газов; и повышения толщины по меньшей мере...

Номер патента: 28642

Опубликовано: 16.06.2014

Авторы: ОЗГУЛ, Мехмет Емин

МПК: H01L 29/08

Метки: система, информацией, обмена, местонахождении

Формула / Реферат:

Данное изобретение относится к системе обмена информацией о местонахождении (1), с использованием по крайней мере одного мобильного устройства (2), производящего обмен информацией о местонахождении, по крайней мере одного мобильного устройства (3), которому абонент, имеющий мобильное устройство, позволяет производить обмен информацией о своем местонахождении, по крайней мере одной системы сведений о местонахождении (4), по крайней мере одной...

Номер патента: 28277

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: ФЕДЕРЗОНИ, Люк, ПИРО, Марк, ГАРАНДЕ, Жан-Поль, БАНСИЛЛОН, Жаки

МПК: H01L 21/00, H01L 31/18, H01L 31/0236...

Метки: текстурирования, элемента, кремниевая, способ, фотоэлектрического, получающаяся, составления, предназначенной, устройство, кремниевой, результате, механического, пластина, пластины

Текст:

...сть силы давления резца генерируется давлением газа, прилагаемым к резцу. 10. Способ по одному из п.п.7-9, в соответствии с которым основание перемещается со скоростью между 5 и 100 мм/с. 11. Поликристаллическая кремниевая пластина(4), получаемая в соответствии со способом по одному из п.п.7-10,предназначенная для составления фотоэлектрического элемента,поверхность которой включает в себя однородные рисунки гравирования глубиной между 5 и 50...

Номер инновационного патента: 28251

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Журинов Мурат Журинович

МПК: H01L 31/18, C25D 9/04, H01L 31/06...

Метки: содержанием, способ, повышенным, пленки, cuinxga1-x, двухстадийный, галлия, соединения, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIni_xGaxSe2 с увеличенным содержанием галлия.В предложенном способе электроосаждение проводят в две стадии при постоянно поддерживаемых потенциалах. В первой стадии при потенциале -0,7В на стеклоуглеродном электроде осаждается соединение CulnSe2, во второй стадии -при потенциале -0,60± 0,05 В соединение CuGaSe2. Используют водные электролиты на основе сульфаминовой или...

Номер патента: 26506

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Гуделева Наталья Николаевна, Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич, Бейсембаева Гульнар Жакаевна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: cugase2, соединения, приготовления, пленки, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида галлия меди - CuGaSe2, которая может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения CuGaSe2 с заданной стехиометрией и шириной .запрещенной зоны 1,4 эВ. Пленки соединения CuGaSe2 применяются в составе тонкопленочных каскадных фотоэлементов для преобразования солнечного...

Номер инновационного патента: 28010

Опубликовано: 25.12.2013

Авторы: Солтанаев Абылайхан Мухитұлы, Арыстанов Нури Нигметуллаевич, Бакенов Кайрат Асангалиевич

МПК: H01L 31/052

Метки: фотоэлектрический, преобразователь

Формула / Реферат:

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ФОТОЭЛЕКТРЛ1 ТУРЛЕНД1РГ1Ш)Изобретение относится к области солнечной электроэнергетики, а именно, к фотоэлектрическим преобразователям и может использоваться в источниках питания автономных систем электроснабжения, а также может применяться при изготовлении приемников солнечной энергии.Фотоэлектрический преобразователь (ФЭП), состоящий из «и» последовательно и параллельно подключенных фотоэлектрических батарей...

Номер инновационного патента: 27952

Опубликовано: 25.12.2013

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич, Лаврищев Олег Александрович

МПК: H01L 31/06

Метки: концентрированного, излучения, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыльным контактами и тыльного электрода, присоединенного к тыльному контакту, в которых выполнены распределенные по площади соосные сквозные отверстия, через которые фронтальный контакт соединен с помощью токопроводящих перемычек с фронтальным электродом, расположенным с зазором под тыльным электродом, причем фронтальный и...

Номер инновационного патента: 27787

Опубликовано: 18.12.2013

Автор: Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: монокристаллических, свободно, расположенных, выращивания, устройство, структур, пленочных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для получения монокристаллических полупроводниковых слоев методом жидкостной эпитаксии, в частности, для получения свободно расположенных многослойных тонкопленочных структур.Достигаемый технический результат - выращивание свободно расположенных монокристаллических пленочных структур, содержащих более одного слоя.Предлагается устройство для выращивания свободно...

Номер инновационного патента: 27091

Опубликовано: 14.06.2013

Авторы: Мансуров Зулхаир Аймухаметович, Таурбаев Токтар Искатаевич, Ауелханкызы Молдир, Приходько Николай Георгиевич, Лесбаев Бахытжан Тастанович, Диханбаев Кадыржан Кенжеевич

МПК: H01L 31/052, B82B 1/00

Метки: солнечного, изготовления, элемента, способ

Формула / Реферат:

Изобретение может быть использовано в производстве оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов. Способ изготовления солнечного элемента включает нанесение на кремниевую пластину с р-n переходом наночастиц оксида никеля, образованных на нихромовой про­волоке в противоточном пламени пропана к кислороду, при температуре 950 °С, с после­дующим импульсным световым отжигом при температуре 1000 С в течение 5 сек....

Номер инновационного патента: 26734

Опубликовано: 15.03.2013

Авторы: Ахмет Окен, Журинов Мурат Журинович, Егеубаева Саламат Сабитовна, Айт Сауык, Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна

МПК: G01N 27/26, G01N 27/48, C25D 9/04...

Метки: защитной, определения, коррозии, способ, ингибитора, стали, концентрации

Формула / Реферат:

Изобретение относится к вольтамперометрическому способу определе­ния защитной концентрации ингибитора коррозии стали. Известный элек­трохимический способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии стали методом поляризационного сопротивления имеет ряд огра­ничений при его использовании, отличается длительностью исследований, большой затратой времени на обработку поляризационных кривых. Благода­ря тому, что в предложенном способе...

Номер инновационного патента: 26733

Опубликовано: 15.03.2013

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Егеубаева Саламат Сабитовна, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Ахмет Окен, Фогель Лидия Алексеевна, Журинов Мурат Журинович, Айт Сауык

МПК: G01N 27/26, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: концентрации, определения, способ, латуни, защитной, коррозии, ингибитора

Формула / Реферат:

Изобретение относится к вольтамперометрическому способу определе­ния защитной концентрации ингибитора коррозии латуни. Известный элек­трохимический способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии методом поляризационного сопротивления имеет ряд ограничений при его использовании, отличается длительностью исследований, большой затратой времени на обработку поляризационных кривых. Благодаря тому, что в предложенном способе определение...

Номер инновационного патента: 26412

Опубликовано: 15.11.2012

Авторы: Журинов Мурат Журинович, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: соединения, методом, получения, способ, пленки, цементации, cuinse2

Формула / Реферат:

РЕФЕРАТПредлагаемый способ включает получение пленок соединения CuInSea на медных подложках или стекле, покрытом медной пленкой с использованием метода цементации. Соединение общей формулы CuInSe2 „является наиболее перспективным полупроводником, который все более широко применяется для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Тонкие пленки данного соединения способны абсорбировать до 90% солнечного света и преобразовывать...

Номер инновационного патента: 26409

Опубликовано: 15.11.2012

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Айт Сауык, Ахмет Окен, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Егеубаева Саламат Сабитовна, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: C25D 9/02, G01N 27/48, G01N 27/26...

Метки: кислот, концентрации, фосфоновых, способ, определения

Формула / Реферат:

РЕФЕРАТ Изобретение относится к вольтамперометрическому способу анализа фосфоновых кислот. Известный способ анализа фосфоновых кислот с ис­пользованием метода циклического инжекционного фотометрического опре­деления фосфат-ионов требует предварительного перевода фосфоновых ки­слот в фосфат-ионы, содержит большое количество операций, дорогостоя­щих реактивов и поддерживание высокой температуры в процессе анализа. Благодаря тому, что в...

Номер полезной модели: 805

Опубликовано: 16.04.2012

Авторы: АЙДЫН, Мехмет, ПАКЯРДЫМ, Юсуф Кенан, ПЕНБЕГУЛ, Али Еткин, УНСОЙ, Алпер

МПК: H04N 3/15, H01L 27/146, H04N 3/09...

Метки: тепловизионное, устройство

Формула / Реферат:

Изобретение имеет отношение к тепловизионному устройству, которое работает в среднем инфракрасном диапазоне длин волн. Тепловизионное устройство (1) обнаруживает различия в тепловом излучении, испускаемом объектами, при помощи инфракрасного приемника, обеспечивает их видимость пользователю в дневных и ночных условиях. Кроме того тепловизионное устройство (1) не подвержено воздействию вспышек и которое обеспечивает пользователю видимость в...

Номер инновационного патента: 25494

Опубликовано: 15.02.2012

Авторы: Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Даулет Алтаевич, Поздняков Алексей Владимирович, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: H01L 21/328, H01L 21/00

Метки: биполярных, способ, транзисторов, изготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов.Способ включает формирование в монокристаллическом кремнии коллекторных, базовых, эмиттерных областей и омических контактов.Новым является то, что коллекторные области получают путем осаждения на кварцевую или стеклянную подложку пленки гидрогенизирован-ного аморфного кремния n-типа, на которую осаждают пленку p-типа аморфного...

Номер инновационного патента: 25347

Опубликовано: 20.12.2011

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/208

Метки: кластеров, металла, полупроводникового, получения, способ, группы, соединения, подложке

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к методам создания каталитических областей на поверхности подложек соединений А3В5 для последующего выращивания игольчатых кристаллов или наноостровков, а также для создания гетероструктур с захороненными слоями, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов, в частности фоточувствительных и светоизлучающих матриц. Достигаемый технический...

Номер инновационного патента: 24923

Опубликовано: 15.11.2011

Авторы: Баешов Абдуали Баешович, Даулетбаев Аким Серикович, Конурбаев Абибулла Ережепович, Баешова Ажар Коспановна, Абсеметов Абдуажит, Абижанова Динара Аширалиевна

МПК: H01G 9/22, H01L 31/0224

Метки: электрическую, тепловой, энергии, преобразование

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области термоэлектричества, в частности, к непосредственному преобразованию тепловой энергии в электрическую электрохимическим методом.Задачей изобретения является разработка способа преобразования тепловой энергии в электрическую с повышением среднего коэффициента термоЭДС, упрощение и удешевление процесса путем применения доступных дешевых термоэлектродов.Техническим результатом является преобразование тепловой энергии...

Номер инновационного патента: 23786

Опубликовано: 15.03.2011

Авторы: Коробова Наталья Егоровна, Лаврищева Анна Олеговна, Исайкина Оксана Яковлевна

МПК: H01L 39/24, H01L 39/12

Метки: основе, пленок, иттриевого, купрата, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению оксидных высокотемпературных сверхпроводящих пленок (BTCП пленок), и может быть использовано для создания приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Техническим результатом является ускорение процесса, увеличение однородности состава по кислороду и стабильности сверхпроводящих свойств в объеме сверхпроводящих пленок.Способ получения пленок на основе...

Номер инновационного патента: 23782

Опубликовано: 15.03.2011

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Журинов Мурат Журинович

МПК: G01N 27/48, G01N 27/26, C25D 9/04...

Метки: селена, способ, концентрации, определения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к инверсионно-вольтамперометрическому способу анализа селена (IV). Известный способ анализа селена (IV) на электроактивных (серебряный, свинцовый) электродах, с использованием в качестве фонового электролита 0,1 М HCI с добавлением меди, содержит большое количество операций и обладает невысокой воспроизводимостью. Благодаря тому, что в предложенном способе анализ селена (IV) проводят на электроактивном медном дисковом...

Номер инновационного патента: 23713

Опубликовано: 15.02.2011

Авторы: Абдикаримов Малик Ныгманович, Нышанбайұлы Нұрсұлтан, Кошерулы Нышан

МПК: H01L 31/052

Метки: модуль, фотоэлектрический

Формула / Реферат:

Фотоэлектрический модуль используется в энергетике а именно в солнечных энергоустановках с концентраторами излучения, предназначенных для электростанции автономной или централизованной системой энергоснабжения.Конструкция фотоэлектрического модуля экономически выгодная, технологически простая, практически надежная создана за счет того, что линзы Френеля изготовлены из силикатного стекла имеют округлую форму и разделены друг от друга,...

Номер патента: 15062

Опубликовано: 15.06.2010

Автор: Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: H01L 23/556

Метки: транзисторный, ключ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области электроники, а именно к транзисторным ключам и инверторам.
Транзисторный ключ, содержащий биполярный транзистор и нагрузочный резистор.
Новым является то, что вместо нагрузочного резистора установлен радистор, электрическое сопротивление которого растет с интегральным потоком излучений.
Достигаемый технический результат - повышение радиационной стойкости.

Номер инновационного патента: 22379

Опубликовано: 15.03.2010

Авторы: Квитка Василий Николаевич, Пукема Василий Иванович

МПК: H01L 29/866, H01L 29/00

Метки: регулятор, диодами, мощности, zenera

Формула / Реферат:

Изобретение относится к устройствам импульсной техники.Регулятор мощности, содержащий тиристоры, резисторы, конденсаторы, отличающийся тем, что он снабжен диодами Zenera, соединенными анодами с резисторами, а катодами с конденсаторами и с галетным переключателем, который в свою очередь соединен с резисторами и с конденсатором.Применение осуществленного устройства позволяет расширить диапазон регулировки мощности, индицировать ее значение,...

Номер патента: 21493

Опубликовано: 15.07.2009

Авторы: Ионова Евгения Александровна, Румянцев Валерий Дмитриевич, Алферов Жорес Иванович, Шварц Максим Зиновьевич, Чалов Алексей Евгеньевич, Зазимко Вадим Николаевич, Ловыгин Игорь Владимирович, Андреев Вячеслав Михайлович, Хвостиков Владимир Петрович

МПК: F24J 2/08, H01L 31/052

Метки: модуль, варианты, фотоэлектрический

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области солнечной энергетики и в частности к фотоэлектрическим модулям. Наиболее успешно настоящее изобретение может быть применено в наземных солнечных энергоустановках с концентраторами излучения, предназначенных для систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах.Фотоэлектрический модуль содержит боковые стенки и фронтальную панель из силикатного стекла с линзами Френеля на ее тыльной стороне, а так...