Патенты с меткой «cuinxga1-x»
Двухстадийный способ приготовления пленки соединения CuInXGa1-X Se2с повышенным содержанием галлия
Номер инновационного патента: 28251
Опубликовано: 17.03.2014
Авторы: Журинов Мурат Журинович, Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич
МПК: H01L 31/18, C25D 9/04, H01L 31/06...
Метки: двухстадийный, пленки, галлия, повышенным, соединения, cuinxga1-x, содержанием, приготовления, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIni_xGaxSe2 с увеличенным содержанием галлия.В предложенном способе электроосаждение проводят в две стадии при постоянно поддерживаемых потенциалах. В первой стадии при потенциале -0,7В на стеклоуглеродном электроде осаждается соединение CulnSe2, во второй стадии -при потенциале -0,60± 0,05 В соединение CuGaSe2. Используют водные электролиты на основе сульфаминовой или...