Уразов Кажмухан Аманкельдиевич

Номер инновационного патента: 31176

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Гуделева Наталья Николаевна, Журинов Мурат Журинович, Хусурова Гульнур Марсовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Леонтьева Ксения Александровна

МПК: H01L 31/06, C23C 16/30, C01G 9/08...

Метки: изготовления, тонких, способ, пленок

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам изготовления тонких нанокристаллических пленок сульфида цинка как оптического элемента прозрачного в инфракрасной области с улучшенным пропусканием в видимой области. Пленка сульфида цинка может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения ZnS с заданной стехиометрией и шириной запрещенной зоны 4,0...

Номер инновационного патента: 31175

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Хусурова Гулинур Марсовна, Гуделева Наталия Николаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Леонтьева Ксения Александровна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, G02B 5/20...

Метки: способ, сульфида, кадмия, приготовления, растворов, коллоидных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления коллоидного раствора сульфида кадмия. Известные способы получения коллоидного раствора наночастиц сульфида кадмия используют органические растворители, повышенную температуру, токсичные растворы сероводорода и процесс проводят в несколько стадий.Предлагаемый способ позволяет упростить процесс за счет использования электрохимического метода, который проводится в одну стадию при невысоком...

Номер инновационного патента: 28251

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Журинов Мурат Журинович, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: соединения, cuinxga1-x, приготовления, способ, содержанием, двухстадийный, пленки, галлия, повышенным

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIni_xGaxSe2 с увеличенным содержанием галлия.В предложенном способе электроосаждение проводят в две стадии при постоянно поддерживаемых потенциалах. В первой стадии при потенциале -0,7В на стеклоуглеродном электроде осаждается соединение CulnSe2, во второй стадии -при потенциале -0,60± 0,05 В соединение CuGaSe2. Используют водные электролиты на основе сульфаминовой или...

Номер патента: 26506

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич, Гуделева Наталья Николаевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Бейсембаева Гульнар Жакаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: приготовления, способ, пленки, соединения, cugase2

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида галлия меди - CuGaSe2, которая может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения CuGaSe2 с заданной стехиометрией и шириной .запрещенной зоны 1,4 эВ. Пленки соединения CuGaSe2 применяются в составе тонкопленочных каскадных фотоэлементов для преобразования солнечного...

Номер инновационного патента: 26412

Опубликовано: 15.11.2012

Авторы: Журинов Мурат Журинович, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/18, C25D 9/04, H01L 31/06...

Метки: cuinse2, цементации, способ, методом, пленки, соединения, получения

Формула / Реферат:

РЕФЕРАТПредлагаемый способ включает получение пленок соединения CuInSea на медных подложках или стекле, покрытом медной пленкой с использованием метода цементации. Соединение общей формулы CuInSe2 „является наиболее перспективным полупроводником, который все более широко применяется для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Тонкие пленки данного соединения способны абсорбировать до 90% солнечного света и преобразовывать...

Номер инновационного патента: 22689

Опубликовано: 15.07.2010

Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Пенькова Наталья Владимировна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: C25D 9/04, O1L 31/18, O1L 31/06...

Метки: приготовления, cuinxga1-xse2, соединения, пленки, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIn1-хGaxSe2 Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида, не содержащего галлий, на поверхности титанового или никелевого катода из фонового электролита, в котором присутствуют ионы меди (II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать полупроводниковые плёнки с достаточно высоким током короткого замыкания, повышенным напряжением холостого хода.Благодаря...

Номер инновационного патента: 22447

Опубликовано: 15.04.2010

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Пенькова Наталья Владимировна, Гуделева Наталья Николаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Ким Ирина Эдуардовна

МПК: C25D 9/04

Метки: электролита, основе, пленки, способ, этиленгликоля, неводного, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в тонкопленочных солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe путем электроосаждения при постоянном потенциале из аммиачно-хлоридного электролита, содержащего 1.10-2 М CdSO4 и 1.10-2 М К2ТеO3 при соотношении кадмия (II): теллуру (IV) равном 1:1, не позволяет полностью устранить соосаждение...