Патенты с меткой «cuinxga1-xse2»

Номер инновационного патента: 22689

Опубликовано: 15.07.2010

Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Пенькова Наталья Владимировна

МПК: O1L 31/06, C25D 9/04, O1L 31/18...

Метки: пленки, приготовления, способ, cuinxga1-xse2, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIn1-хGaxSe2 Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида, не содержащего галлий, на поверхности титанового или никелевого катода из фонового электролита, в котором присутствуют ионы меди (II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать полупроводниковые плёнки с достаточно высоким током короткого замыкания, повышенным напряжением холостого хода.Благодаря...