Пенькова Наталья Владимировна

Способ приготовления пленки соединения CuInxGa1-xSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 22689

Опубликовано: 15.07.2010

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Пенькова Наталья Владимировна

МПК: O1L 31/06, O1L 31/18, C25D 9/04...

Метки: cuinxga1-xse2, приготовления, соединения, способ, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIn1-хGaxSe2 Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида, не содержащего галлий, на поверхности титанового или никелевого катода из фонового электролита, в котором присутствуют ионы меди (II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать полупроводниковые плёнки с достаточно высоким током короткого замыкания, повышенным напряжением холостого хода.Благодаря...

Способ получения пленки CdTe из неводного электролита на основе этиленгликоля

Загрузка...

Номер инновационного патента: 22447

Опубликовано: 15.04.2010

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Ким Ирина Эдуардовна, Пенькова Наталья Владимировна, Гуделева Наталья Николаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич

МПК: C25D 9/04

Метки: получения, неводного, пленки, этиленгликоля, электролита, способ, основе

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в тонкопленочных солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe путем электроосаждения при постоянном потенциале из аммиачно-хлоридного электролита, содержащего 1.10-2 М CdSO4 и 1.10-2 М К2ТеO3 при соотношении кадмия (II): теллуру (IV) равном 1:1, не позволяет полностью устранить соосаждение...

Способ получения пленки сульфида кадмия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20074

Опубликовано: 15.09.2008

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Пенькова Наталья Владимировна, Гуделева Наталия Николаевна, Протопопова Гертруда Димитровна

МПК: C01G 11/02, C23C 18/06

Метки: пленки, способ, кадмия, получения, сульфида

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленок сульфида кадмия, который широко используют в полупроводниковых приборах. Известный способ получения сульфида кадмия химическим осаждением из щелочного раствора комплексной соли кадмия тиомочевиной не позволяет получать пленки высокого качества. Благодаря тому что в предложенном способе осаждение ведут на стеклянную подложку, покрытую пленкой оксида олова из раствора, содержащего, М: сульфат...