O1L 31/18 — O1L 31/18

Номер инновационного патента: 22689

Опубликовано: 15.07.2010

Авторы: Пенькова Наталья Владимировна, Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич

МПК: C25D 9/04, O1L 31/06, O1L 31/18...

Метки: соединения, приготовления, cuinxga1-xse2, пленки, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIn1-хGaxSe2 Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида, не содержащего галлий, на поверхности титанового или никелевого катода из фонового электролита, в котором присутствуют ионы меди (II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать полупроводниковые плёнки с достаточно высоким током короткого замыкания, повышенным напряжением холостого хода.Благодаря...

Номер инновационного патента: 21818

Опубликовано: 15.10.2009

Автор: Журинов Мурат Журинович

МПК: O1L 31/18, C25D 9/04, O1L 31/06...

Метки: пленки, получения, способ, cuinse2, нанокристаллической, структурой

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения пленок полупроводнико­вого соединения CuInSe2 с нанокристаллической структурой, применяемых в солнечных элементах. Известный способ получения пленок CuInSe2 с разме­ром зерен 300-500 Å путем внутреннего электролиза (цементации) на мед­ной подложке из раствора 2М NH4CI, содержащего индий (III) и селен (IV), не позволяет получить пленку CuInSe2 с меньшим размером зерен.Благодаря тому, что в предложенном...