Гуделева Наталья Николаевна

Номер инновационного патента: 31176

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Хусурова Гульнур Марсовна, Журинов Мурат Журинович, Дергачева Маргарита Борисовна, Леонтьева Ксения Александровна, Гуделева Наталья Николаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич

МПК: C01G 9/08, C23C 16/30, H01L 31/06...

Метки: тонких, способ, пленок, изготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам изготовления тонких нанокристаллических пленок сульфида цинка как оптического элемента прозрачного в инфракрасной области с улучшенным пропусканием в видимой области. Пленка сульфида цинка может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения ZnS с заданной стехиометрией и шириной запрещенной зоны 4,0...

Номер патента: 26506

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Бейсембаева Гульнар Жакаевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Гуделева Наталья Николаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: соединения, способ, приготовления, пленки, cugase2

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида галлия меди - CuGaSe2, которая может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения CuGaSe2 с заданной стехиометрией и шириной .запрещенной зоны 1,4 эВ. Пленки соединения CuGaSe2 применяются в составе тонкопленочных каскадных фотоэлементов для преобразования солнечного...

Номер инновационного патента: 22447

Опубликовано: 15.04.2010

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Гуделева Наталья Николаевна, Ким Ирина Эдуардовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Пенькова Наталья Владимировна

МПК: C25D 9/04

Метки: неводного, электролита, пленки, этиленгликоля, способ, основе, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в тонкопленочных солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe путем электроосаждения при постоянном потенциале из аммиачно-хлоридного электролита, содержащего 1.10-2 М CdSO4 и 1.10-2 М К2ТеO3 при соотношении кадмия (II): теллуру (IV) равном 1:1, не позволяет полностью устранить соосаждение...

Номер предварительного патента: 17291

Опубликовано: 14.04.2006

Автор: Гуделева Наталья Николаевна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/06, C25D 5/50...

Метки: приготовления, пленки, гетероструктуры, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS, которая используется в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую.Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS заключается в последовательном нанесении на поверхность стеклянной пластины методом напыления слоя оксида олова толщиной 0,2 мкм с последующим отжигом при 550 °С в течение 60 мин, затем методом химического...