Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS
Формула / Реферат
Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS, которая используется в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую.
Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS заключается в последовательном нанесении на поверхность стеклянной пластины методом напыления слоя оксида олова толщиной 0,2 мкм с последующим отжигом при 550 °С в течение 60 мин, затем методом химического осаждения путем контактирования с раствором, содержащим, г/л: CdSO4 - 28,57; NH4OH - 24,28; NH2CSNH2 - 10,9, в течение 1-5 мин при температуре 90 °С и постоянном вращении стеклянной пластины - слой сульфида кадмия, с последующим отжигом при 450 °С в течение 30 мин, затем методом электрохимического осаждения при напряжении 650 мВ в течение 120 мин, при температуре 85 °С с использованием электролита, содержащего, г/л: CdSО4 - 52,14; К2ТеО3×3Н2О - 0,154, при рН равном 1,4 наносят слой теллурида кадмия, с последующим отжигом полученной гетероструктуры при 400 °С в течение 30 мин.
Полученный способ при использовании пленки полученной гетероструктуры CdTe/CdS в качестве фотоэлемента в процессах преобразования световой энергии в электрическую позволяет повысить значение тока короткого замыкания до 11-12мА/см2 и потенциал холостого хода до 637-650 мВ.
МПК / Метки
МПК: C25D 9/04, H01L 31/06, C25D 5/50, H01L 31/18
Метки: способ, пленки, гетероструктуры, приготовления
Код ссылки
<a href="https://kz.patents.su/0-pp17291-sposob-prigotovleniya-plenki-geterostruktury-cdte-cds.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS</a>
Предыдущий патент: Многоступенчатый колонный сушильный аппарат
Следующий патент: Устройство для обработки почвы и посева риса
Случайный патент: Способ обезвоживания высоковязкой нефти