Формула / Реферат

Изобретение относится к составам электролита
для получения пленок полупроводникового соединения CdTe, применяемых в солнечных элементах, а
также в инфракрасных детекторных системах. Известный сернокислый электролит с рН=2, содержащий 2,5⋅10-4М 2,2′-дипиридила при молярном соотношении кадмия (II) к теллуру (IV), равном 1:1, не
позволяет получать пленки высокого качества из-за
совместного соосаждения элементарного теллура с
осадком CdTe. Благодаря предлагаемому аммиачнохлоридному буферному электролиту с рН=8,4 в присутствии 2,2′-дипиридила с концентрацией
3⋅10-4÷1,5⋅10-3 М при молярном соотношении кадмия (И) к теллуру (IV), равном 1:1(0,8÷1), удается
получить чистый осадок CdTe, не содержащий элементарного теллура, повысить дисперсность осадка
и его адгезию с электропроводной подложкой, что
значительно улучшает его полупроводниковые
свойства.

МПК / Метки

МПК: C25D 3/26, C25D 3/00, C25D 3/02

Метки: электролит, получения, пленки

Код ссылки

<a href="https://kz.patents.su/0-pp15424-elektrolit-dlya-polucheniya-plenki-cdte.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Электролит для получения пленки CdTe</a>

Похожие патенты