Транзисторный ключ

(51) 01 23/556 (2006.01) КОМИТЕТ ПО ПРАВАМ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ МИНИСТЕРСТВА ЮСТИЦИИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ Патент Великобритании 1529968, кл. Н 01 27/02, Н 03 К 19/003, Н 01 27/02, 25.10.1978(57) Изобретение относится к области электроники,а именно к транзисторным ключам и инверторам. Транзисторный ключ, содержащий биполярный транзистор и нагрузочный резистор. Новым является то, что вместо нагрузочного резистора установлен радистор, электрическое сопротивление которого растет с интегральным потоком излучений. Достигаемый технический результат повышение радиационной стойкости.(73) Акционерное общество Академия гражданской авиации 15062 Изобретение относится к области электроники,а именно к транзисторным ключам или инверторам. Известен транзисторный ключ, содержащий биполярный транзистор и нагрузочный резистор(Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М. Советское радио, 1980, с. 246-250). Основной недостаток данного транзисторного ключа состоит в сравнительно низкой его радиационной стойкости. Настоящим изобретением достигается повышение радиационной стойкости транзисторных ключей. Это достигается тем, что в транзисторном ключе, содержащем биполярный транзистор и нагрузочный резистор, согласно предлагаемому изобретению, вместо нагрузочного резистора установлен радистор, электрическое сопротивление которого растет с интегральным потоком излучений. Сущность изобретения заключается в следующем. В предлагаемом транзисторном ключе в качестве нагрузочного резистора установлен радистор (предпатент РК 10594, 2001). Это приводит к тому, что при воздействии радиации пропорционально интегральному потоку излучения электрическое сопротивление радистора будет увеличиваться,а коэффициент усиления биполярного транзистора будет уменьшаться по причине все большего увеличения концентрации радиационных дефектов в области базы. Таким образом, эти два процесса, одновременно происходящие в биполярном транзисторе и радисторе,будут взаимно друг друга компенсировать, что в конечном итоге будет приводить к повышению радиационной стойкости в целом транзисторного ключа. Таким образом,включение радистора в коллекторную цепь транзистора приводит к повышению радиационной стойкости ключа. Суть предлагаемого изобретения можно пояснить с помощью фигуры, на которой приведена принципиальная схема предлагаемого транзисторного ключа. На данном рисунке в виде резистора со стрелочкой изображен радистор. У этого радистора одновременно с уменьшением коэффициента передачи тока базы собственно транзистора при облучении будет происходить увеличение электрического сопротивления, что будет приводить к взаимной компенсации этих двух эффектов, т.е. результирующее значение выходного напряжения будет продолжительное время (до определенного значения интегрального потока излучений) оставаться постоянным. Следует отметить, что работоспособность предлагаемого транзисторного ключа была исследована экспериментально. При этом радистор изготавливали на основе пластин кремния с различной степенью концентрации примесей примерно с концентрацией примеси 31015 см-3. Экспериментальные исследования показали, что предлагаемая структура может позволить примерно на 1-2 порядка повысить радиационную стойкость транзисторных ключей. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ Транзисторный ключ, содержащий биполярный транзистор и нагрузочный резистор,отличающийся тем, что в качестве нагрузочного резистора установлен радистор, электрическое сопротивление которого растет с интегральным потоком излучений.