Транзистор

КОМИТЕТ ПО ПРАВАМ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ МИНИСТЕРСТВА ЮСТИЦИИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН(57) Изобретение относится к области электроники,а именно к транзисторам. Транзистор, содержащий коллектор, базу и эмиттер, при этом между базой и эмиттером параллельно эмиттерному переходу установлен радистор,электрическое сопротивление которого растет с интегральным потоком излучений. Достигаемый технический результат - повышение радиационной стойкости транзисторов.(76) Алдамжаров Казбек Бахитович , Туякбаев Альтай Альшерович , Туякбаев Султан Альтаевич , Туякбаев Данияр Алтайевич 14234 Изобретение относится к области электроники, а именно к транзисторам. Известен транзистор Шоттки, содержащий эмиттер, базу, коллектор и диод Шоттки, соединяющий параллельно коллекторному переходу базу с коллектором (Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М. Советское радио, 1980, с. 260-262). Основной недостаток данного транзистора состоит в сравнительно низкой его радиационной стойкости. Наиболее близким техническим решением является биполярный транзистор, содержащий эмиттер,базу и коллектор (Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М. Советское радио, 1980, с. 102-134). Основной недостаток данного транзистора состоит в сравнительно низкой его радиационной стойкости. Настоящим изобретением решается задача повышения радиационной стойкости транзисторов. Это достигается тем, что в транзисторе, содержащем коллектор, базу и эмиттер, согласно предлагаемому изобретению, между базой и эмиттером,параллельно эмиттерному переходу, установлен радистор, электрическое сопротивление которого растет с интегральным потоком излучений. Сущность изобретения заключается в следующем. В предлагаемом транзисторе между базой и эмиттером установлен радистор (а. с. СССР 1403815, Кл. Н 01 27/00, 1988). Это приводит к тому, что часть подаваемого на базу тока ответвляется и уходит через радистор в эмиттерную цепь. При воздействии радиации, пропорционально интегральному потоку излучения, проводимость радистора будет уменьшаться, что будет приводить к увеличению той части тока, которая поступает в базу транзистора и вызывает все большее открытие транзистора. Последнее можно расценивать как увеличение коэффициента передачи тока базы транзистора. В то же время коэффициент усиления собственно транзистора будет уменьшаться из-за воздействия радиации и по причине все большего увеличения концентрации радиационных дефектов в области базы. Таким образом, эти два процесса, одновременно происходящие в базе и радисторе, будут взаимно друг друга компенсировать, что в конечном итоге будет приводить к повышению радиационной стойкости в целом предлагаемого транзистора. Другими словами, увеличение сопротивления радистора приводит к уменьшению тока, проходя щего через него, и соответственно к увеличению той части тока, которая поступает в базу транзистора и приводит к большему его открытию, что нужно расценивать как увеличение коэффициента усиления транзистора. Таким образом, с одной стороны включение радистора между базой и эмиттером структуры приводит к уменьшению начального коэффициента усиления собственно транзистора, но с другой стороны при воздействии радиации, приводящей к постепенному уменьшению коэффициентов усиления кремниевых транзисторов, увеличение сопротивления радистора приводит к возрастанию коэффициента усиления транзистора, что в итоге приводит к тому, что коэффициент усиления в целом предлагаемого транзистора при воздействии радиации продолжительное время остается постоянным. Суть предлагаемого изобретения можно пояснить с помощью фигуры, на которой приведена принципиальная схема предлагаемого транзистора. На данном рисунке в виде резистора со стрелочкой изображен радистор. У этого радистора одновременно с уменьшением коэффициента передачи тока базы собственно транзистора при облучении будет происходить увеличение электрического сопротивления, что будет приводить к взаимной компенсации этих двух эффектов, т. е. результирующий коэффициент усиления предлагаемого транзистора будет продолжительное время (до определенного значения интегрального потока излучений) оставаться постоянным. Следует отметить, что работоспособность предлагаемой структуры была исследована экспериментально. При этом радистор изготавливали на основе пластин кремния с различной степенью концентрации примесей, примерно с концентрацией примеси 31015 см-3. Экспериментальные исследования показали, что предлагаемая структура может позволить примерно на 1-2 порядка повысить радиационную стойкость транзисторов. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ Транзистор, содержащий коллектор, базу и эмиттер, отличающийся тем, что между базой и эмиттером параллельно эмиттерному переходу установлен радистор с электрическим сопротивлением, зависящим от интегрального потока радиации.