Транзистор

Номер предварительного патента: 15353

Опубликовано: 17.01.2005

Авторы: Туякбаев Данияр Алтаевич, Туякбаев Даулет Алтаевич, Туякбаев Султан Алтаевич, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: H01L 27/00

Метки: полевой, транзистор

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области электроники,
а именно к транзисторам.
Полевой транзистор, содержащий металлический
затвор, изолирующую пленку окиси кремния и полупроводниковую часть.
Новым является то, что вместо изолирующей
пленки окиси кремния используют алмазную пленку, получаемую путем термического осаждения в
вакууме из метана углерода.

Номер предварительного патента: 10963

Опубликовано: 15.11.2001

Автор: Васильев Иван Вениаминович

МПК: H03F 3/62

Метки: усилитель, двунаправленный

Формула / Реферат:

Изобретение относится к радиотехнике и электросвязи и может быть использовано в различных устройствах двусторонней связи, в частности, в портативных и малогабаритных приемопередатчиках, использующих для приема и передачи одинаковые или близкие частоты, в их высокочастотных трактах или в усилителях промежуточной частоты.Двунаправленный усилитель содержит первый и второй биполярные транзисторы, коллекторы которых через соответствующие обмотки...

Номер предварительного патента: 10594

Опубликовано: 15.08.2001

Автор: Алдамжаров Казбек Бахитович

МПК: H01L 23/00

Метки: способ, изготовления, радистор

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Оно может быть использовано в приборах, предназначенных для работы в условиях проникающей радиации как для оценки радиационной обстановки, так и для стабилизации эксплуатационных параметров электронных схем и приборов.Радистор содержит активную область с выводами, а способ его изготовления основан на формировании в подложке из полупроводникового материала одного типа проводимости области другого...

Номер предварительного патента: 16301

Опубликовано: 14.10.2005

Авторы: Оразалиева Сандугаш Кудайбергеновна, Марконренков Юрий Александрович, Хлыстов Алексей Савельевич, Джумабаев Булат Шагирович, Бахтаев Шабден Абуович, Джумабаев Серек Шагирович

МПК: C08K 3/00, C08L 23/00

Метки: изделий, изолирующих, материал, композиционный

Формула / Реферат:

Изобретение относится к строительным материалам, а именно, к композиционным составам дляизолирующих изделий и рельсовых скреплений, иможет быть использовано при строительстве железнодорожных путей , нефте - и газопроводов.Состав на основе полимеров и волластонитапри определенном соотношении позволяет повысить значение модуля упругости до 1100-1500 МПа,разрушающего усилия при разрыве до 18-38 МПа,снизить объемную усадку до 0,03-0,1 % и...

Номер предварительного патента: 4073

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Баекенов Марат Абдрахманович, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: H01L 21/26

Метки: транзисторов, интегральных, изготовления, биполярных, схем, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем. Настоящим изобретением достигается технический результат, состоящий в повышении радиационной стойкости кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем. В способе, включающем эпитаксиальное наращивание пленки кремния одного типа проводимости на кремниевой подложке другого типа проводимости, окисление,...