Формула / Реферат

Изобретение относится к области электроники,
а именно к транзисторам.
Полевой транзистор, содержащий металлический
затвор, изолирующую пленку окиси кремния и полупроводниковую часть.
Новым является то, что вместо изолирующей
пленки окиси кремния используют алмазную пленку, получаемую путем термического осаждения в
вакууме из метана углерода.

МПК / Метки

МПК: H01L 27/00

Метки: транзистор, полевой

Код ссылки

<a href="https://kz.patents.su/0-pp15353-polevojj-tranzistor.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Полевой транзистор</a>

Похожие патенты