Радистор и способ его изготовления

Номер предварительного патента: 10594

Опубликовано: 15.08.2001

Автор: Алдамжаров Казбек Бахитович

Формула / Реферат

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Оно может быть использовано в приборах, предназначенных для работы в условиях проникающей радиации как для оценки радиационной обстановки, так и для стабилизации эксплуатационных параметров электронных схем и приборов.
Радистор содержит активную область с выводами, а способ его изготовления основан на формировании в подложке из полупроводникового материала одного типа проводимости области другого типа проводимости и омических контактов к активной области.
Новым является то, что активная область радистора выполнена из широкозонного полупроводникового материала, легированного примесью до концентрации No, выбранной исходя из значения a, где a - коэффициент изменения сопротивления R радистора от потока излучения Ф в соответствующей зависимости Rф=Ro(l+aФ), причем Ro - исходное сопротивление резистора (радистора).
Новым является также то, что в качестве исходного материала подложки выбирают широкозонный полупроводниковый материал, из предварительно полученных зависимостей удельного сопротивления r от потока излучения Ф выбирают требуемую зависимость r=f(Ф), устанавливают соответствующее этой зависимости начальное удельное сопротивление rо по зависимости r от концентрации легирующей примеси N и выбранной концентрации No и легируют полупроводниковую структуру до требуемой концентрации, No.

МПК / Метки

МПК: H01L 23/00

Метки: способ, радистор, изготовления

Код ссылки

<a href="https://kz.patents.su/0-pp10594-radistor-i-sposob-ego-izgotovleniya.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Радистор и способ его изготовления</a>

Похожие патенты