Инвертор на МДП транзисторах

(51) 01 23/556 (2006.01) КОМИТЕТ ПО ПРАВАМ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ МИНИСТЕРСТВА ЮСТИЦИИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН(57) Изобретение относится к области электроники,а именно к инверторам на МДП транзисторах. Инвертор на МДП транзисторах содержит активный и нагрузочный МДП транзисторы. Новым является то, что дополнительно установлены резистор и радистор, образующие между шинами питания делитель напряжения, к средней точке которого подключены подложки активного и нагрузочного МДП транзисторов. Достигаемый технический результат - повышение радиационной стоимости.(73) Открытое акционерное общество Академия гражданской авиации 15215 Изобретение относится к области электроники,а именно к инверторам на МДП транзисторах. Известен инвертор, содержащий активный и нагрузочный МДП транзисторы (Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М. Советское радио,1980, с. 266-269) Основной недостаток данного инвертора состоит в сравнительно низкой его радиационной стойкости. Настоящим изобретением достигается повышение радиационной стойкости инверторов на МДП транзисторах. Это достигается тем, что в инверторе, содержащем активный и нагрузочный МДП транзисторы,согласно предлагаемому изобретению, дополнительно установлены резистор и радистор, образующие между шинами питания делитель напряжения,к средней точке которого подключены подложки активного и нагрузочного МДП транзисторов. Сущность изобретения заключается в следующем. В предлагаемом инверторе на МДП транзисторах кроме активного и нагрузочного транзисторов дополнительно установлены резистор и радистор, образующие между шинами питания делитель напряжения. При облучении пороговые напряжения МДП транзисторов изменяются из-за накопления положительного заряда в окисле кремния. При этом у -канального МДП транзистора будет происходить уменьшение порогового напряжения. Для компенсации данного эффекта желательно, чтобы пропорционально росту положительного заряда в окисле возрастало положительное напряжение на подложке активного и нагрузочного транзисторов, что и происходит в предлагаемой схеме инвертора. Последнее происходит из-за увеличения сопротивления радистора, на котором при облучении будет происходить возрастание падения напряжения. Это возрастание положительного напряжения на подложках транзисторов будет откачивать носители зарядов (электронов) из активных зон подзатворных областей МДП транзисторов, и это будет приводить к снижению тока в канале активного транзистора,что и следует рассматривать как компенсацию влияния радиации. Таким образом, предлагаемое схемотехническое решение приводит к повышению радиационной стойкости инверторов на МДП транзисторах. Суть предлагаемого изобретения можно пояснить с помощью фигуры, на которой приведена принципиальная электронная схема предлагаемого инвертора на МДП транзисторах. На данном рисунке 1 - активный МДП транзистор 2 - нагрузочный МДП транзистор 3 - радистор 4 - резистор, нечувствительный к действию радиации 5 - общая шина 6 - шина источника питания. Из рисунка видно, что инвертор содержит активный и нагрузочный МДП транзисторы 1 и 2, радистор 3 и резистор 4 образуют делитель напряжения между шиной питания 6 и общей шиной 5. К средней точке этого делителя напряжения подключены подложки транзисторов 1 и 2. При радиационном облучении в инверторе главным образом происходит изменение значения порогового напряжения МДП транзисторов. В предлагаемой схеме радистор 3 является как бы чувствительным элементом, воспринимающим действие проникающей радиации. Таким образом, при облучении сопротивление радистора начинает возрастать, и поэтому падение напряжения на нем также будет возрастать. Последнее будет приводить к компенсации влияния радиации, что и будет приводить к повышению радиационной стойкости инвертора. Следует отметить, что работоспособность предлагаемого инвертора была исследована экспериментально на электронном ускорителе. Экспериментальные исследования показали, что предлагаемая схема может позволить примерно на 1-2 порядка повысить радиационную стойкость инверторов на МДП транзисторах. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ Транзисторный ключ, содержащий биполярный транзистор и нагрузочный резистор, отличающийся тем, что в качестве нагрузочного резистора установлен радистор, электрическое сопротивление которого растет с интегральным потоком излучений.