Способ получения люминесцирующих пленок

Номер предварительного патента: 9507

Опубликовано: 16.10.2000

Автор: Коробова Наталья Егоровна

МПК: C04B 35/46

Метки: сегнетоэлектрических, получения, пленок, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких сегнетоэлектрических пленок, в частности к получению пленок титаната бария, и может быть использовано в технологии электронных материалов.Способ получения сегнетоэлектрических пленок титаната щелочнозе­мельных металлов включает нанесение на подложку методом электро­фореза в спиртовой среде раствора алкоголята титана и порошка щелочнозе­мельного металла с размером зерна не более 0,1 мкм,...

Номер предварительного патента: 12044

Опубликовано: 16.09.2002

Авторы: Со Де Хва, Коробова Наталья Егоровна

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: сверхпроводящих, способ, высокотемпературных, пленок, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению оксидных высокотемпературных сверхпроводящих пленок (ВТСП), и может быть использовано для создания приборов на основе эффекта сверхпроводимости.Способ получения высокотемпературных сверх­проводящих пленок включает смешивание купрата иттрия - бария (0,80-5,00) мас. % в виде частиц крупностью не более 0,1 мкм, титанового биалкоголята щелочноземельного...

Номер предварительного патента: 10138

Опубликовано: 16.04.2001

Авторы: Абдрахимова Айжамал Рахматуллаевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: H01L 49/02

Метки: пленок, ртути, идентификации, теллурида, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения пленок полупроводникового соединения HgTe.Предлагаемый электрохимический способ получения пленок HgTe и их идентификации является одним из наиболее технологичных и дешевых. Основное преимущество - возможность проведения идентификации пленок HgTe по мере их получения методом электроосаждения на поверхности электрода из материала с n-типом проводимости - стеклоуглерода или титана в присутствии фонового...

Номер предварительного патента: 4275

Опубликовано: 14.03.1997

Авторы: Буранбаев Мэлс Жаканович, Таурбаев Тохтар Искатаевич, Каппаров Кайрат Каппарович, Омаров Марат Ахметович

МПК: C30B 35/00

Метки: получения, монокристаллических, углеродных, пленок, устройство, способ, осуществления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения углеродных пленок, применяемых в обрабатывающей, ювелирной промышленностях, оптике (в том числе рентгеновской) и электронике. Технический результат, достигаемый изобретением, заключается в получении монокристаллических углеродных пленок. Способ получения монокристаллических пленок в вакуумной камере включает получение углеродной плазмы путем распыления катода-мишени из твердого углерода, ускорения ионов...

Номер патента: 1257

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: C30B 19/00

Метки: получения, пленок, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения. тонких отделяемых пленок АIII - BV - методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретения - предотвращение разрушения пленок и уменьшение расхода Ga. Способ включает последовательное формирование металлического слоя и пленки Alx Ga1-xAs или АlxGа1-xP на затравочной подложке GaAs или GaP из расплава, содержащего Sn, A1 и 8-10 ат.% Ga, отделение...