Теплообменник для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала

(51) 30 11/00 (2006.01) 30 29/06 (2010.01) 01 23/367 (2006.01) 28 3/04 (2006.01) МИНИСТЕРСТВО ЮСТИЦИИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН(54) ТЕПЛООБМЕННИК ДЛЯ СИСТЕМЫ ОТВЕРЖДЕНИЯ И/ИЛИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА(57) Теплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга,характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью взаимодействия со вторым рельефом.(74) Болотов Юрий Альбертович Кульжамбекова Сауле Даниаровна Пастухова Ольга Васильевна Наурузова Гульжихан Хакимовна ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ 1. Теплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2 2 а 2 2 с 2 2 е 2 2 2 2 2) и второй элемент (3 3 а 3 3 с 3 3 е 3 3 3 3 3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, отличающийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью взаимодействия со вторым рельефом, тем, что он содержит средство для перемещения (9) первого элемента относительно второго элемента,обеспечивая возможность регулирования теплового потока теплообмена, тем, что упомянутое средство для перемещения содержит регулятор (92),обеспечивающий возможность модулирования расстояния между первым элементом и вторым элементом в соответствии с желаемым значением теплового потока теплообмена, и тем, что упомянутый первый рельеф содержит выемки(23) и выступы (22), а упомянутый второй рельеф содержит выемки (33) и выступы (32), в частности,шаг, с которым расположены вдоль одного измерения первого и второго элементов упомянутые выступы и выемки рельефа, выполнен переменным,и/или высота выступов рельефа вдоль одного измерения по меньшей мере одного из первого и второго элементов выполнена переменной, и/или взаимодействие первого и второго рельефов состоит во вхождении выступов одного рельефа в выемки другого рельефа. 2. Теплообменник по п.1, отличающийся тем,что упомянутый регулятор выполнен с возможностью располагать первый и второй элементы по меньшей мере на двух расстояниях друг от друга с целью получения по меньшей мере двух разных значений теплового потока теплообмена или по меньшей мере двух разных значений коэффициентов теплообмена. 3. Теплообменник по любому из п.п.1 или 2,отличающийся тем, что упомянутый регулятор выполнен с возможностью непрерывного изменения расстояния между первым и вторым элементами в диапазоне от некоторого первого положения, в котором площадь поверхности теплообмена минимальна, до некоторого второго положения, в котором площадь поверхности теплообмена максимальна. 4. Теплообменник по любому из п.п.1-3,отличающийся тем, что первый рельеф содержит выступы с наклонными сторонами, параллельными наклонным сторонам выемок второго элемента. 5. Теплообменник по любому из п.п.1-4,отличающийся тем, что первый рельеф и второй рельеф имеют параллелепипедообразные структуры,в частности, структуры, ориентированные вдоль одной и той же продольной оси. 6. Теплообменник по любому из п.п.1-5,отличающийся тем, что выступы первого рельефа покрыты первым материалом (24 24 24 24),обладающим термическими свойствами,отличающимися от термических свойств остального материала первого элемента, в частности,упомянутый материал выступов первого рельефа обладает теплоизолирующими свойствами. 7. Теплообменник по любому из п.п.1-6,отличающийся тем, что выступы второго рельефа покрыты вторым материалом (34 34 34 34),обладающим термическими свойствами,отличающимися от термических свойств остального материала второго элемента, в частности,упомянутый материал выступов второго рельефа обладает теплоизолирующими свойствами. 8. Теплообменник по любому из п.п.1-7,отличающийся тем, что материалы первого и второго элементов имеют разные термические свойства. 9. Теплообменник по любому из п.п.1-8,отличающийся тем, что первый элемент термически соединен с тиглем (4) или с литьевой формой, а второй элемент термически соединен с источником холода (5). 10. Теплообменник по любому из п.п.1-9,отличающийся тем, что он содержит первый элемент для обеспечения газового зазора модулируемой толщины между тиглем и этим первым элементом, и/или тем, что он содержит второй элемент для обеспечения газового зазора модулируемой толщины между источником холода и этим вторым элементом. 11. Теплообменник по любому из п.п.1-10,отличающийся тем, что по меньшей мере один выступ рельефа первого и/или второго элемента имеет такой размер, что обеспечена возможность вхождения его в контакт с дном выемок рельефа второго и/или первого элемента при некотором конкретном относительном расположении первого и второго элементов. 12. Система для отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала,содержащая теплообменник по любому из п.п.1-11. 13. Способ отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала с использованием теплообменника по любому из п.п.1-11,отличающийся тем, что он содержит следующие стадии позиционирование первого элемента теплообменника относительно второго элемента теплообменника и- теплопередача от тигля к источнику холода через посредство упомянутых первого и второго элементов теплообменника. 14. Способ по п.13, отличающийся тем, что стадию позиционирования выполняют во время осуществления стадии теплопередачи. 15. Способ по любому из п.п.13 или 14,отличающийся тем, что при протекании процесса отверждения и/или кристаллизации от начала к концу изменяют коэффициент теплообмена теплообменника.