Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Номер предварительного патента: 18149

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Протопопова Гертруда Дмитриевна, Григорьева Валентина Петровна, Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: in2se3, соединения, приготовления, пленки, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...

Номер предварительного патента: 17678

Опубликовано: 15.08.2006

Авторы: Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: cu2se, способ, приготовления, соединения, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры Cu2Se, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2, используемого в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую. Предложенный способ получения пленки соединения Cu2Se заключается в электроосаждении на поверхности катода при постоянном потенциале. Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что в...

Номер предварительного патента: 13843

Опубликовано: 15.12.2003

Авторы: Григорьева Валентина Петровна, Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна

МПК: H01L 49/02

Метки: получения, пленки, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам полученияпленок полупроводникового соединения CdTe,применяемых в солнечных элементах, а также винфракрасных детекторных системах. Известныйспособ получения пленок CdTe путемэлектроосаждения при постоянном потенциале наповерхности электропроводной подложки вприсутствии фонового электролита, содержащегокадмий (II) и теллур (IV), сложен и не позволяетполучать пленки высокого качества. Благодарятому, что в...

Номер предварительного патента: 17291

Опубликовано: 14.04.2006

Автор: Гуделева Наталья Николаевна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, C25D 5/50...

Метки: пленки, приготовления, гетероструктуры, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS, которая используется в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую.Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS заключается в последовательном нанесении на поверхность стеклянной пластины методом напыления слоя оксида олова толщиной 0,2 мкм с последующим отжигом при 550 °С в течение 60 мин, затем методом химического...

Номер патента: 11890

Опубликовано: 15.06.2006

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Абдрахимова Айжамал Рахматуллаевна, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: C01G 11/00, C01G 13/00, C01G 19/04...

Метки: соединения, получения, способ, виде, пленки, cdxhg(1-x)te

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения полупроводникового соединения CdõHg1-õTe, иcпользуемого в детекторах ИК-излучения, для пре­образования излучения в области длин волн 8-13 мкм и для преобразования солнечного излучения как составляющая часть в каскадном элементе.Существующие методы не позволяют получать пленки однородного заданного состава.По предлагаемому способу пленки CdхHg1-хTe полу­чают путем электрохимического...