Способ приготовления пленки соединения Cu2Se

Номер предварительного патента: 13843

Опубликовано: 15.12.2003

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Григорьева Валентина Петровна, Стацюк Вадим Николаевич, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 49/02

Метки: получения, способ, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам полученияпленок полупроводникового соединения CdTe,применяемых в солнечных элементах, а также винфракрасных детекторных системах. Известныйспособ получения пленок CdTe путемэлектроосаждения при постоянном потенциале наповерхности электропроводной подложки вприсутствии фонового электролита, содержащегокадмий (II) и теллур (IV), сложен и не позволяетполучать пленки высокого качества. Благодарятому, что в...

Номер патента: 11890

Опубликовано: 15.06.2006

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Абдрахимова Айжамал Рахматуллаевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Фогель Лидия Алексеевна

МПК: C01G 11/00, C01G 19/04, C01G 13/00...

Метки: получения, пленки, способ, cdxhg(1-x)te, виде, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения полупроводникового соединения CdõHg1-õTe, иcпользуемого в детекторах ИК-излучения, для пре­образования излучения в области длин волн 8-13 мкм и для преобразования солнечного излучения как составляющая часть в каскадном элементе.Существующие методы не позволяют получать пленки однородного заданного состава.По предлагаемому способу пленки CdхHg1-хTe полу­чают путем электрохимического...

Номер предварительного патента: 17291

Опубликовано: 14.04.2006

Автор: Гуделева Наталья Николаевна

МПК: C25D 9/04, C25D 5/50, H01L 31/06...

Метки: гетероструктуры, способ, пленки, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS, которая используется в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую.Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS заключается в последовательном нанесении на поверхность стеклянной пластины методом напыления слоя оксида олова толщиной 0,2 мкм с последующим отжигом при 550 °С в течение 60 мин, затем методом химического...

Номер предварительного патента: 5611

Опубликовано: 15.12.1997

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: G01N 27/48

Метки: галлии, способ, металлическом, индия, определения, полярографического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области аналитического определения индия в металлическом галлии. Предлагаемый полярографический способ позволяет определять индий в присутствии большого количества галлия в одну стадию путем перевода анализируемой пробы в раствор фонового электролита с последующей регистрацией максимального тока электровосстановления и определением индия по калибровочной зависимости максимального тока электровосстановления от концентрации...

Номер предварительного патента: 15423

Опубликовано: 15.09.2005

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: C25D 3/26, C25D 3/02, C25D 3/00...

Метки: пленки, электролит, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к составам электролитадля получения пленок полупроводникового соединения CdTe, применяемых в солнечных элементах, атакже в инфракрасных детекторных системах. Известный сернокислый электролит с рН=2, содержащий 2,5⋅10-4 М 2,2′-дипиридила при молярном соотношении кадмия (II) к теллуру (IV), равном 1:1, непозволяет получать пленки высокого качества из-засовместного осаждения элементарного теллура сосадком CdTe. Благодаря...