Чайкин Владимир Владимирович

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Номер предварительного патента: 19124

Опубликовано: 15.02.2008

Авторы: Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/18, H01L 31/06...

Метки: приготовления, соединения, способ, cuinse2, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу приготовления пленки соединения CuInSe2.Способ осуществляют путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди (II), селена (III), индия (IV) и последующего отжига пленки, отличающийся тем, что в качестве катода используют стеклоуглеродный или углеситаловый электрод, в качестве электролита - водный раствор, содержащий,М: CuSO4 - 5·10-3, In2(SО4)37Н2О - 2·10-2,...

Способ приготовления пленки соединения In2Se3

Номер предварительного патента: 18149

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Григорьева Валентина Петровна, Дергачева Маргарита Борисовна, Чайкин Владимир Владимирович, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/18, H01L 31/06...

Метки: способ, пленки, in2se3, соединения, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...

Способ приготовления пленки соединения Cu2Se

Номер предварительного патента: 17678

Опубликовано: 15.08.2006

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Чайкин Владимир Владимирович

МПК: C25D 9/04, H01L 31/18, H01L 31/06...

Метки: соединения, способ, cu2se, пленки, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры Cu2Se, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2, используемого в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую. Предложенный способ получения пленки соединения Cu2Se заключается в электроосаждении на поверхности катода при постоянном потенциале. Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что в...