Патенты с меткой «in2se3»

Номер предварительного патента: 18149

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Протопопова Гертруда Дмитриевна, Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна, Григорьева Валентина Петровна

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: способ, приготовления, соединения, пленки, in2se3

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...