Порошок для конденсатора
Формула / Реферат
Описаны конденсаторы на основе ниобия, содержащие ванадий, емкость которых не зависит от ППАН (положительного постоянного анодного напряжения).
Текст
(51) 01 9/052 (2006.01) 01 9/05 (2006.01) КОМИТЕТ ПО ПРАВАМ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ МИНИСТЕРСТВА ЮСТИЦИИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН(57) Описаны конденсаторы на основе ниобия,содержащие ванадий, емкость которых не зависит от ППАН (положительного постоянного анодного напряжения). 15061 Данное изобретение относится к порошку для изготовления электролитических конденсаторов,особенно к порошку для изготовления анодов электролитических конденсаторов. В литературе в основном описаны кислотноземельные металлы ниобий и тантал в качестве исходных материалов для изготовления таких конденсаторов. Изготовление конденсаторов осуществляют спеканием мелкозернистых порошков в окатыши с созданием структуры с большой поверхностью, анодным окислением поверхности этих спекшихся тел для создания непроводящего изолирующего слоя (диэлектрика) и нанесением противоэлектрода в форме слоя из двуокиси марганца или проводящего полимера. Порошки кислотноземельных металлов особенно подходят в связи с высокими диэлектрическими постоянными их пятиокисей. До последнего времени техническое значение для изготовления конденсаторов играл по существу танталовый порошок. Это связано, с одной стороны,с воспроизводимым получением мелкозернистых танталовых порошков, а, с другой стороны, с тем,что изолирующий окисный слой из пятиокиси тантала обладает особенно выраженной стабильностью. Возможно, это связано с тем, что тантал, в отличие от ниобия, не образует стабильных недоокисей. Однако в ходе быстрого развития микроэлектроники недостатки тантала приобретают возрастающее значение. Тантал относится к редким металлам(находясь на 54 месте по распространенности в природе, элемент содержится в земной коре в количестве 2,1 г/т) с очень небольшим числом месторождений целесообразных для разработки (только хард рок майнинг) и кроме того он содержится в малых концентрациях в своих рудах. Так типичные добываемые в настоящее время танталовые руды (например, в Австралии) часто содержат менее 0,1 Та 2 О 5 (около 300 млн. долей). Ниобий, который относится к той же группе периодической системы элементов, стоит над танталом и имеет очень .похожие свойства, однако распространенность ниобия в 10 - 12 раз выше чем тантала, а месторождения ниобия более удобны для разработки (33-тье место по естественной распространенности элемента в земной коре с 24 г/т) Экономически важнейшие месторождения находятся в Бразилии (78 мировых запасов), где добывают руду с более 325 открытым способом. Другие разрабатываемые месторождения находятся в Канаде, Нигерии и Заире. В связи с этим цены на сырье в виде концентратов ниобия существенно ниже по сравнению с концентратами тантала и, кроме того, цены не испытывают сильных колебаний. Кроме того, существует естественная граница роста достижимых удельных емкостей танталовых порошков. Для того чтобы достигнуть более высоких емкостей С у Та-порошков, удельная поверхность должна быть увеличена (С/),что при определенной геометрии частиц порошка 2 связано с уменьшением размеров частиц. Если средний размер частиц диэлектрического слоя,полученного анодированием, лежит в нанометровой области, то также в нанометровой области будут насквозь анодироваться области металлического тела, подвергнутого спеканию, то есть особенно в тонких областях, например, в шейках спекания между двумя частицами будет отсутствовать металлическая проводимость. Это приводит к тому,что отдельные области анода становятся неактивными. Кроме того, способность к окислению танталовых порошков сильно возрастает с уменьшением размеров частиц порошка и соответствующим возрастанием удельной поверхности. В связи с этими причинами и с учетом отчетливо более высоких диэлектрических постоянных ниобия(42) по сравнению с танталом (27) цель многих исследователей состоит в создании ниобиевых конденсаторов. Однако применению ниобиевых конденсаторов препятствовали до настоящего времени низкие удельные емкости с малой удельной поверхностью и низкое качество. Одна из причин этого заключается в том, что чистый ниобий по сравнению с танталом имеет два недостатка с точки зрения применения в конденсаторах. С одной стороны, это более сильно выраженная тенденция анодированной окисной пленки к кристаллизации в поле по сравнению с танталом. Радиальная скорость роста кристаллических площадей в 1000 раз больше по сравнению с танталом при тех же условиях анодирования(,,. 1974, 1, 21-37),что однако в большинстве случаев подавляется в результате анодирования при низких температурах(.1997 пленки должны быть аморфными, кристаллические области в пленке обнаруживают повышенную проводимость). Другой недостаток относится к более высокой чувствительности анодированных пленок 25 к тепловым обработкам. Одна из стадий изготовления твердых электролитических конденсаторов состоит в нанесении полупроводящего катодного материала МпО 2. Это происходит при окунании анодов в растворы нитрата марганца для получения тонкого слоя 3,который затем термически превращают в МО 2. При этом система Та-Та 2 О 5 в течение от 10 до 30 минут подвергается нагреву между 250 и 450 С. Эта термическая обработка однако может привести к возрастанию зависимости емкости от частоты, температуры и ППАН(положительного постоянного анодного напряжения). Считают, что причиной этого является то, что при температурах свыше 300 С субстрат тантала может оттягивать атомы кислорода из анодированного слоя окиси тантала, что приводит к экспоненциальному градиенту дефектных мест окисной пленки, в которых отсутствует кислород. Эти дефектные места вызывают переход 15061 проводимости окисной пленки от диэлектрика к полупроводнику, соответственно, если дефекты будут составлять достаточно высокую концентрацию, к проводнику. Это показано схематически на фиг. 1. Критическая удельная проводимость 0 отделяет изолирующую часть от проводящей части окисной пленки. Если температуру повышают, то полупроводниковый слой расширяется в окисной пленке и эффективный изолирующий слой становится тоньше. Это служит причиной возрастания емкости, независимо от температурной зависимости диэлектрической постоянной. В таком случае подача ППАН влияет на то, что электроны из дефектных мест переходят в металлический тантал. В результате этого образуется двойной электрический слой, который с металлической стороны создается электронами на граничной поверхности, а с полупроводниковой стороны - положительным пространственным зарядом в граничном слое, обедненном носителями заряда (барьер Шотки-Мотта). Это вызывает увеличение роста градиента проводимости и возрастание эффективной толщины диэлектрика,что связано, согласно, С/, с уменьшением емкости. В то время как анодированные окисные пленки на тантале являются диэлектрическими и только при повышенных температурах обнаруживают полупроводящие области, анодированные окисные пленки на ниобии ведут себя уже при комнатной температуре как -полупроводники ( , , .. 1999, 460,214-225) и обнаруживают на граничной поверхности 25/электролит Шотки-барьер (К.Е. , ., . , ., .. 1990, 35, .99). Причина этого может состоять в том,что ниобий в отличие от тантала образует различные стабильные недоокиси. Так из литературы известно, что у окисных пленок на ниобии только наружный слой состоит из 25(. , . , . . . 1980, 51(1),. 397-405), которая, кроме того, имеет не совсем стехиометрический состав и обнаруживает недостаток кислорода х. Между слоем 25- и металлическим субстратом ниобия находится слой из , так как этот слой, находящийся в контакте с насыщенным кислородом металлическим ниобием,представляет собой термодинамически устойчивую фазу, а не так как у тантала, у которого устойчива пятиокись (К.Е. , . ,, 1969, 20 (3), . 195-199). Содержание кислорода в пассивном слое поверхности у ниобия составляет от около 3500 до 4500 млн. долей на м 2 удельной поверхности. При спекании -анодов кислород пассивного слоя поверхности диффундирует внутрь металла и распределяется там равномерно. При этом толщина-слоя возрастает пропорционально поверхности использованного порошка, что можно хорошо проследить по дифракции рентгеновских лучей на ниобиевых анодах, полученных при спекании. Это приводит в экстремальном случае при очень больших удельных поверхностях и значит очень высоких содержаниях кислорода в порошке к тому,что тело анода после спекания состоит главным образом из , а уже не из металлического ниобия. Однако это возрастание содержания кислорода в отличие от тантала не проявляется значительным возрастанием тока утечки анода,изготовленного из таких порошков. Другая особенность состоит в том, что МО 2 катод, служащий твердым электролитом, играет роль донора кислорода и может восполнить дефицит кислорода в 25 слое. Однако это не монотонный процесс, так как по соседству с граничной поверхностью О 2/25 образуются более низкие, непроводящие фазы окислов марганца(М 2 О 3, М 3 О 4, МО), которые препятствуют дальнейшей диффузии кислорода от МО 2-катода к полупроводящему слою 25-. Это приводит к росту дефектных мест х, к ускоренному росту тока утечки и в конце концов к выходу из строя конденсатора (.97 11). По этой причине у ниобиевых конденсаторов меньше время службы чем у танталовых конденсаторов. Это полупроводящее поведение анодированного на ниобии запирающего слоя имеет последствием то, что для измерения истинных величин емкости ниобиевых анодов, которые позднее достигаются и в готовом конденсаторе, к ним надо приложить ППАН, так как в противном случае невозможно достоверное измерение и получаются ошибочные,слишком высокие значения. При сравнительных измерениях емкости анодов из металлического ниобия, соответственно, из окиси ниобияи из ниобий/танталовых сплавов (9010,8020, 7030) и изготовленных из них конденсаторов было установлено, что необходимо приложить к аноду ППАН - 1,5 В, для того чтобы получить истинные значения емкостей для анодов, которые позднее обнаруживаются и в готовом конденсаторе,и что емкость таких анодов, измеренная без приложения ППАН, в 3-4 раза выше емкости, которая измерена при ППАН, как минимум, 1,5 В, то есть будут получены ошибочные значения. Вследствие этого и для удельного тока утечки по отношению к емкостям, которые измерены без ППАН, получают величины в 3-4 раза более низкие, чем действительный удельный ток утечки. Очень важной характеристикой, определяющей пригодность порошка в качестве материала для конденсатора, является его химическая чистота,потому что как металлические,так и неметаллические загрязнения могут приводить к ошибкам, соответственно, к меньшей стабильности диэлектрического слоя. Критическими для тока утечки танталовых анодов при этом считают такие элементы, как , К, , ,и С. В настоящее время при непрерывном улучшении Та-порошков количества этих загрязнений находятся вблизи границы обнаружения у порошков, получаемых при восстановлении 27 натрием. Соответствующего процесса для восстановления 27 с получением высокочистых ниобиевых 3 15061 порошков не существует в связи с тем, что соответствующие соли гептафторида ниобия обладают высокой агрессивностью и частично растворяют материал реторты, и полученные порошки ниобия сильно загрязнены , ,и т.д. Для изготовления -конденсаторов с большой емкостью не подходят также, так называемые ЕВпорошки, которые получают путем придания хрупкости с помощью водорода ниобиевым заготовкам,получаемым при плавлении электронным лучом, их перемалывании и последующем дегидрировании. Если описанное выше перемалывание проводят в аттриторе под слоем спирта, то получают ниобиевые хлопья,которые однако в большинстве случаев имеют высокую степень загрязнения металлами, такими как , ,и С, которые в процессе перемалывания при механическом легировании включаются в порошок ниобия и после этого больше не вымываются минеральными кислотами. Наряду с химической чистотой, определяющей электрические свойства, порошок для конденсатора должен соответствовать и определенным физическим характеристикам. Так порошок должен обладать определенной сыпучестью, для того чтобы его можно было перерабатывать в полностью автоматических прессах для анодов производителя конденсаторов. Кроме того,должна быть определенная прочность спрессованных анодов в непросушенном состоянии, чтобы они сразу не рассыпались, и должно быть достаточно высокое распределение пор, для того чтобы гарантировать полное импрегнирование нитрата марганца. Ближайшим аналогом является описанный в выложенной заявке 198 31 280 А 1 анод на основе ниобия, предназначенный для изготовления конденсаторов. Известный анод может содержать один или несколько металлов, выбранных из группы, включающей титан, молибден, вольфрам,гафний, ванадий и цирконий. Недостатком известного анода является то, что изготовленные из него конденсаторы не удовлетворяют все растущим требованиям к современным конденсаторам. Задачей изобретения является разработка анода на основе ниобия для изготовления конденсаторов,обладающих более высоким сроком службы и связанными с ним более высокой емкостью и более низким током утечки. Поставленная задача решается предлагаемым конденсатором с анодом на основе ниобия,имеющим емкость, независимую от положительного постоянного анодного напряжения. Анод согласно изобретению может также содержать ванадий, который имеется, как минимум,в запирающем слое на основе пятиокиси ниобия,нанесенном на анод. Содержащие анод согласно изобретению конденсаторы проявляют отчетливо улучшенные характеристики анодированной окисной пленки. В частности в результате импедансспектроскопических измерений и оценки диаграммы Шоттки-Мотта было обнаружено, что концентрации 4 дефектов в анодированных окисных слоях таких конденсаторных анодов отчетливо понижены и так же низки, как и в соответствующих Та 2 О 5-слоях. Кроме того, имеются первые указания на то, что стабильность в течение длительного времени близка к таковой у танталовых анодов, которая недостижима в случае известных конденсаторах на основе ниобия. Конденсаторы на основе ниобия по смыслу данного изобретения означают такие конденсаторы,которые имеют анод,изготовленный из мелкозернистых порошков на основе ниобия,подвергнутых спеканию, причем на основе ниобия означает проводящие электричество соединения или сплавы, главным компонентом которых является ниобий, а также металлический ниобий. Подходящими соединениями являются,например, окиси ниобия , в которых х 0 до 2,нитрид ниобия или оксинитрид ниобия. Подходящими сплавами ниобия в особенности являются /-сплавы с содержанием ниобия, как минимум, 50 . Согласно изобретению,предпочтителен металлический ниобий (с содержанием кислорода,обусловленным условиями получения, 3000-4500 млн. долей на м 2 удельной поверхности) и , где х 0,8 до 1,2. Кроме того, предпочтительные конденсаторы на основе ниобия имеют сердцевину из ниобия,промежуточный слой из недоокиси ниобия и диэлектрический слой из пятиокиси ниобия. Предпочтительное содержание ванадия у такого рода конденсаторов на основе ниобия составляет от 10 до 100000 млн. долей (массы) в пересчете на ниобий и, при необходимости, тантал. Особенно предпочтительное содержание ванадия составляет от 200 до 20000 млн. долей. Аноды конденсаторов, согласно изобретению, на основе ниобия,содержащего ванадий,обнаруживают емкость, в существенной мере независимую от ППАН, то есть подаваемого на анод постоянного напряжения, на которое накладывается напряжение переменного тока для измерения емкости. Предметом изобретения далее являются аноды конденсаторов на основе ниобия, которые содержат ванадий. Предпочтительно аноды содержат от 10 до 100000 млн. долей ванадия в пересчете на ниобий и, при необходимости, тантал. Особенно предпочтительно, когда содержание ванадия составляет от 200 до 20000 млн. долей. Далее предметом изобретения являются порошки на основе ниобия, которые содержат от 10 до 100000 млн. долей, предпочтительно больше 200 млн. долей, особо предпочтительно от 500 до 20000 млн. долей ванадия, в пересчете на ниобий и, при необходимости, тантал. Далее предпочтительно, что порошки на основе ниобия содержат загрязнения , , , ,и К в количестве меньше, чем 25 млн. долей, особо предпочтительно, в сумме меньше 100 млн. долей. Предметом изобретения также является предпочтительный способ - получения порошка на основе ниобия,сплавленного/легированного 15061 ванадием, согласно изобретению. Способ состоит в том, что ванадий, окись ванадия или соединение ванадия, которое можно гидролизовать в окись ванадия или термически разложить, в твердом или растворенном виде смешивают в соответствующем соотношении с порошком , 25, 2 или с гидратом пятиокиси ниобия 25 х Н 20, смесь,при необходимости, после сушки прокаливают и смешанную окись после этого восстанавливают до недоокиси или металла и, при необходимости,превращают в нитрид. В качестве соединений ванадия пригодны все окислы ванадия, такие как 25, 02, 23 и 0,причем 25 особенно предпочтителен. Далее пригодны все соединения ванадия, которые можно гидролизовать в окиси или термически разложить,например,метаванадат аммония,оксидацетилацетонат ванадия, пентагидрат оксидсульфата ванадия, ванадийгалоиды и так далее. Особенно предпочтителен метаванадат аммония. В качестве ниобиевого компонента предпочтительно используют мелкозернистые порошки 25, особенно предпочтительно гидрат пятиокиси ниобия 25 х Н 20. В качестве ниобиевых порошков особенно подходят высокопористые порошки, которые получены в соответствии со способом заявителя,согласно 6171363 ,19831280 ,19847012 А 1 и 00/67936 при восстановлении пятиокиси ниобия в жидком или газообразном магнии,при необходимости,после предварительного восстановления до недоокиси с помощью водорода. Такого рода ниобиевые металлические порошки получают с предельно низкими содержаниями загрязнений, вредных для применения в конденсаторах. Если прокаливание проводят с окисями ванадия при использовании 25 или 25 х Н 20, то восстановление для получения 2, содержащего ванадий, осуществляют при нагревании в водородной атмосфере от 950 до 1500 С. Восстановление ванадийсодержащих 2 или 2 О 5 до ванадийсодержащего -металлического порошка осуществляют главным образом в соответствии с 19831280 ,19847012 А 1 или/ 99/09772. Предпочтительно восстановление осуществляют с помощью паров магния в атмосфере защитного газа в неподвижном слое. Особо предпочтительно осуществляют восстановление в вихревом слое с аргоном, в качестве несущего газа, причем несущий газ перед тем как впустить в вихревой реактор пропускают над расплавом магния при температуре близкой к температуре кипения магния. Восстановление продукта прокаливания 25 или 25 х Н 2 О и окиси ванадия или содержащего 2 в , содержащий ванадий,кроме того, можно, осуществлять при смешивании ванадийсодержащего порошка 2 или 25 с нагревании в потоке водорода или в вакууме до температур от 950 до 1600 С. Для получения азотированного или оксиазотированного порошка на основе ниобия,содержащего ванадий, металлический порошок ниобия или порошок , где предпочтительно х 0,10,5, содержащий ванадий, нагревают в азотной атмосфере до 1000 С. Порошки для конденсаторов,согласно изобретению, предпочтительно имеют размеры частиц от 300 до 1500 нм, особенно предпочтительно от 400 до 600 нм. Порошки в основном используют в виде агломератов с размерами частиц от 40 до 400 мкм. Для установления размеров агломератов проводят известным способом деокисляющую агломерацию при нагревании от 800 до 1000 С в присутствии небольшого количества магния и последующее просеивание через сито, с размером ячеи от 250 до 400 мкм. Дальнейшую обработку анодов конденсаторов осуществляют прессованием и спеканием при 1050 до 1350 С до уплотнения спекаемой массы от 50 до 70 заполненного объема. Дальнейшую обработку анодов в конденсаторы осуществляют анодированием,то есть электрохимическим созданием слоя пятиокиси в таком электролите, как разбавленная фосфорная кислота, вплоть до заданного напряжения анодирования, которое в 1,5 4 раза превышает необходимое рабочее напряжение конденсатора. Условия тестирования Изготовление, формовка и измерение анодов,описанных в следующих примерах, осуществлено по следующим параметрам, при условии, что в примерах не оговорены другие. Изготовление анодов Вес без проволоки Диаметр Длина Спрессованная плотность Спекание анодов 1250 С 1450 С 1600 С Анодирование Формовочное напряжение 4 0 В, соотв., 60 в Измерение тока утечки Электролит 1824 Температура 23 С Время зарядки 2 минуты Напряжение 70 формовочного напряжения (28, соотв., 42 В) Пример 1 Сплав ниобия с ванадием, содержащий 0,894 ванадия, получают следующим образом берут 897,9 г гидрата окиси ниобия 25 Н 2 О(содержание 2 О 5 равно 63,09 ) и 9,2 г метаванадата аммония 43 растворяют в 1000 мл Н 2 О и хорошо перемешивают, в заключение сушат 24 часа при 110 С, а после этого 3,5 часа прокаливают при 950 С. 2 О 5 Н 2 О имеет размеры первичных частиц около 600 нм. Смесь окислов, полученную таким образом, помещают в молибденовую лодочку и 4 часа выдерживают при температуре 1450 С в медленном потоке водородной атмосферы. Полученная таким образом недоокись имеет состав 2 (дифракция рентгеновских лучей) и содержит 0,716 ванадия. В заключение продукт помещают на мелкоячеистую решетку, под которой установлен тигель, в котором находится магнии в стехиометрическом количестве в 1,1 раз превышающем количество кислорода,содержащегося в недоокиси, и в атмосфере аргона нагревают 6 часов при 1000 С. При этом магний превращается в пар и реагирует с недоокисью,находящейся над ним. После охлаждения печи до комнатной температуры медленно добавляют воздух для пассивирования поверхности металла. Восстановленный продукт в заключение промывают серной кислотой и после этого промывают деионизованнои водой до нейтрального состояния и сушат. Результаты анализа ниобиевого порошка- 8940 млн. долей,О - 15000 млн. долей (3289 млн. долей/м 2), - 342 млн. долей,М -190 млн. долей,С - 33 млн. долей , , 1, Та - каждый 20 млн. долей. Удельная поверхность порошка, согласно ,составляет 4,56 м 2/г. В дифракции рентгеновских лучей обнаружены для ниобия слегка сдвинутые в сторону меньших углов слабые рефлексы, что указывает на твердый раствор ванадия в ниобии. Аноды изготовляют из порошка сплава -,(порошок А) и из порошка ниобия, полученного в соответствии со способом заявителя, согласно вышеуказанному ближайшему аналогу, 19831280 А 1, (порошок Б, образец для сравнения),имеющего состав-1 млн. долей,О - 16000 млн. долей (3883 млн. долей/м 2), - 180 млн. долей,М -300 млн. долей, (, , )15 млн. долей,С - 14 млн. долей. Удельная поверхность порошка, согласно ,составляет 4,32 м 2/г. Изготовленные аноды,подвергнуты спеканию при 1150 С и формовке при 4 0 В. Для некоторых анодов перед формовкой была определена удельная поверхность по в 0,830,2 м 2/г. В таблицах 1 и 2 показаны результаты измерения удельных емкостей анодов из обоих порошков в различных электролитах при различных ППАН. Таблица 1 15061 Пример 2 Ниобий-тантал-ванадиевый сплав с 1,26 ванадия получают следующим образом 1104,3 г гидрата окиси ниобия 25 х Н 20 (содержание 25 67,1 ), 322,7 г гидрата окиси тантала Та 2 О 5 х Н 20 (содержание Та 2 О 5 75,4 ) и 28,93 г метаванадата аммония 43 тщательно перемешивают, в заключение сушат 24 часа при 110 С и в течение 12 часов прокаливают при 1150 С. Смесь окислов, полученную таким образом,после этого помещают в молибденовую лодочку и 6 часов выдерживают при температуре 1500 С в медленном потоке водородной атмосферы. Полученная таким образом недоокись имеет состав 2(дифракция рентгеновских лучей обнаруживает только сдвинутые к малым углам рефлексы 2) и содержит 21,13 тантала и 1,05 ванадия. В заключение продукт помещают на мелкоячеистую решетку, под которой установлен тигель,в котором находится магний,стехиометрическое количество которого в 1,2 раз превышает количество кислорода, содержащегося в недоокиси, и в атмосфере аргона нагревают 6 часов при 1050 С. При этом магний превращается в пар и реагирует с недоокисью, находящейся над ним. После охлаждения печи до комнатной температуры медленно добавляют воздух для пассивирования поверхности металла. Восстановленный продукт в заключение промывают серной кислотой и после этого промывают деионизованной водой до нейтрального состояния и сушат. Результаты анализа порошка, полученного из- 12 600 млн. долей,О - 12325 млн. долей (3322 млн. долей/м 2), - 92 млн. долей,М - 45 млн. долей,С - 24 млн. долей , ,- каждый 20 млн. долей. Удельная поверхность порошка, согласно ,составляет 3,71 м 2/г. В дифракции рентгеновских лучей обнаружены для ниобия слегка сдвинутые в сторону меньших углов слабые рефлексы, что указывает на твердый раствор тантала и ванадия в ниобии. Изготовлены аноды из этого порошка //сплава, (порошок А) и из порошка ниобийтанталового сплава, полученного аналогично, но без добавления метаванадата ниобия (порошок Б,образец для сравнения), состава Та - 22,14 , -1 млн. долей,О - 13120 млн. долей (3390 млн. долей/м 2) , - 112 млн. долей,М - 67 млн.- долей, (, , )15 млн. долей,С - 41 млн. долей. Удельная поверхность порошка, согласно ,составляет 3,87 м 2/г. Полученные аноды подвергнуты спеканию при 1200 С и формовке при 40 В. Для некоторых анодов перед формовкой определяют удельную поверхность по 0,910,4 м 2/г. В таблицах 3 и 4 показаны результаты измерения удельных емкостей анодов из обоих порошков в различных электролитах при различных ППАН. Таблица 3 Пример 3 Окись ниобия , легированную ванадием,(порошок А) получают следующим образом тщательно перешивают 657,3 г порошка ниобийванадиевого сплава, полученного согласно примеру 1, со следующим содержанием примесей и физическими характеристиками 15061 удельная поверхность, согласно , составляет 4,34 м 2/г, насыпной удельный вес по Скотту 14,3 г/дюйм 3, определенная в воронке Холла текучесть(далее текучесть по Холлу)- 22 с, размер частиц 10, 50 и 90, определенный методом по АСТМ 822-В с применением аппарата Мастерсайсер - 65,1,170,7 и 292,7 мкм, соответственно,и 566,5 г пятиокиси ниобия 2545 мкм со следующим содержанием примесей(А 1, , Са, Со, С, Си, , , К, , , , , , , , Та, , , , )25 млн. долей,С 10 млн. долей,10 млн. долей, и помещают в молибденовую лодочку. Лодочку затем нагревают до 1250 С в слабом потоке водорода в течение 6 часов. Полученный продукт(проба А) имел составсо следующим содержанием примесей и физическими характеристиками- 3110 млн. долей,О - 14,71 ,М - 90 млн. долей,С - 14 млн. долей, (, , , , Та)15 млн. долей, - 45 млн. долей,удельная поверхность, согласно , составляет 2,31 м 2/г, насыпной удельный вес по Скотту 13,9 г/дюйм 3, текучесть по Холлу-29 с, определенный вышеуказанным методом размер частиц 10, 50,90 - 22,3, 123,4 и 212,7 мкм, соответственно. Аналогично получают порошок для сравнения из порошка ниобия, полученного в соответствии со способом заявителя, согласно 19831280 А 1,имеющий следующие содержания примесей и физические характеристики-1 млн. долей,О - 13200 млн. долей, М -38 6 млн. долей,С - 4 7 млн. долей,(, , , , Та)25 млн. долей, - 84 млн. долей,удельная поверхность порошка, согласно ВЕТ,составляет 4,01 м 2/г, насыпной удельный вес по Скотту 13,б г/дюйм 3, текучесть по Холлу-30 с,определенный вышеуказанным методом размер частиц 10, 50 и 90 - 44,7, 156,2 и 283,9 мкм,соответственно,и пятиокиси ниобия 2545 мкм со следующим содержанием примесей(порошок Б) со следующим содержанием примесей и физическими характеристиками-1 млн. долей,О - 14,62 ,М - 54 млн. долей,С - 14 млн. долей,(, , , 1, Та)20 млн. долей, - 56 млн. долей,удельная поверхность порошка, согласно ВЕТ,составляет 2,4 7 м 2/г, насыпной удельный вес по Скотту 13,6 г/дюйм 3, текучесть по Холлу-30 с,определенный вышеуказанным методом размер частиц 10, 50 и 90 - 27,7, 131,9 и 221,1 мкм,соответственно, в качестве образца для сравнения. Из обоих порошков прессуют аноды, которые спекают 20 минут при 1350 С и формуют при 40 В. В таблице 5 приведены результаты измерений удельных емкостей для анодов из обоих порошков в 18 -ной 24 при различных ППАН. Таблица 5 Пример 4 В соответствии с примером 1 получают ниобиевые порошки с разным содержанием ванадия(смотри таблицу 6 ниже, порошки от 2 до 6) . Из этих порошков и из одного порошка, полученного согласно 19831280 А 1, изготовляют аноды, 8 спекают при 1150 С и в заключение формуют при 40 В. В таблице 6 приведены результаты измерения емкостей анодов, изготовленных из всех шести порошков, которые проводят без приложения или при приложении ППАН в 2 В.-поверхность м 2/г Измер. емкость мкФ без ППАН Измер. емкость мкФ с ППАН Удел. емкость МКФВ/Г Измер.ток утечки мкА Удел. ток утечки мкА/г ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ 1. Конденсатор с анодом на основе ниобия,отличающийся тем, что анод имеет емкость,независимую от положительного постоянного анодного напряжения. 2. Конденсатор, по п.1, с анодом на основе ниобия и запирающим слоем на основе пятиокиси ниобия, отличающийся тем, что содержит ванадий,как минимум, в запирающем слое. 3. Конденсатор, по п.2, отличающийся тем, что он содержит от 10 до 100000 млн. долей ванадия. 4. Конденсатор, по п.3, отличающийся тем, что он содержит от 500 до 10000 млн. долей ванадия. 5. Конденсатор, по одному из п.п. 1-4,отличающийся тем, что анод состоит из металлического ниобия, недоокиси ниобия, нитрида ниобия и/или оксинитрида ниобия. 6. Конденсатор, по одному из п.п.1-4,отличающийся тем, что анод состоит из ниобийтанталового сплава. 7. Конденсатор, по п. 5, отличающийся тем, что анод состоит из ниобиевой сердцевины и слоя недоокиси. 8. Конденсатор, по одному из п.п. 5-7,отличающийся тем, что анод содержит от 10 до 100000 млн. долей ванадия. 9. Конденсатор, по п.8, отличающийся тем, что анод содержит от 500 до 10000 млн. долей ванадия. 10. Конденсатор, по одному из п.п. 5-7,отличающийся тем, что запирающий слой содержит от 10 до 10000 млн. долей ванадия в пересчете на общую массу анода. 11. Анод на основе ниобия, отличающийся тем,что он имеет емкость, независимую от положительного постоянного анодного напряжения(ППАН). 12. Анод на основе ниобия, содержащий ванадий, отличающийся тем, что он содержит от 10 до 100000 млн. долей ванадия. 13. Анод, по п. 11, отличающийся тем, что он содержит от 10 до 100000 млн. долей ванадия. 14. Анод на основе ниобия и/или соединений ниобия, имеющий запирающий слой на основе пятиокиси ниобия, отличающийся тем, что запирающий слой содержит от 10 до 100000 млн. долей ванадия в пересчете на анод. 15. Порошок на основе ниобия, содержащий ванадий, отличающийся тем, что он содержит от 10 до 100000 млн. долей ванадия. 16. Порошок на основе ниобия, по п. 15,отличающийся тем, что он содержит от 500 до 10000 млн. долей ванадия. 17. Способ изготовления порошков на основе ниобия содержащих ванадий, отличающийся тем,что порошок ванадия, окись ванадия и/или соединение ванадия, превращаемое в окись ванадия гидролизом или термически, смешивают с металлическим ниобием, окисью ниобия и/или оксигидратом ниобия, смесь, при необходимости,высушивают и прокаливают и смесь окислов восстанавливают до недоокиси ниобия или металлического ниобия, содержащих ванадий, и,при необходимости, азотируют. 18. Способ по п.17. отличающийся тем, что восстановление смеси окислов, содержащий ванадий, до 2 , содержащего ванадий, проводят в потоке водорода при температуре от 1000 до 1500 С. 19. Способ по п.п. 16 или 17, отличающийся тем, что взаимодействие 25, соответственно,2, содержащих ванадий, с, при необходимости,также содержащим ванадий ниобиевым порошком с образованием,содержащего ванадий,осуществляют в потоке водорода или в вакууме при нагревании от 900 до 1600 С. 20. Способ по п.п. 16 или 17, отличающийся тем, что восстановление окиси ниобия, содержащей ванадий, до металлического ниобия осуществляют при нагревании в присутствии паров магния в атмосфере защитного газа. 21. Способ, по одному из п.п. 16-20,отличающийся тем,что азотирование осуществляют при нагревании порошка металлического ниобия, соответственно, недоокиси ниобия, содержащих ванадий, в азотной атмосфере.
МПК / Метки
МПК: H01G 9/05, H01G 9/052
Метки: порошок, конденсатора
Код ссылки
<a href="https://kz.patents.su/10-15061-poroshok-dlya-kondensatora.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Порошок для конденсатора</a>
Предыдущий патент: Двигатель внутреннего сгорания с бесшатунным механизмом
Следующий патент: Узел резца и вращающийся барабан с ним для использования при выемке угля и породы