Патенты с меткой «электролитический»
Электролитический способ получения чистого таллия
Номер инновационного патента: 29953
Опубликовано: 15.06.2015
Авторы: Сейлханова Гульзия Амангельдыевна, Березовский Андрей Владимирович, Усипбекова Енлик Жанысбековна, Наурызбаев Михаил Касымович, Курбатов Андрей Петрович
МПК: C01G 15/00, C25C 1/22
Метки: способ, получения, чистого, электролитический, таллия
Формула / Реферат:
Изобретение относится к выделению и очистке чернового таллия и может быть использовано в области металлургии при разработке технологической схемы рафинирования таллия.Технический результат изобретения заключается в упрощении электролитического способа и реализации экологически безопасной технологии получения чистого металла за счет выделения таллия на таллиевом катоде из раствора, полученного после растворения оксида таллия(Ш) в азотной кислоте,...
Электролитический конденсатор и способ его изготовления
Номер предварительного патента: 19632
Опубликовано: 16.06.2008
Автор: Удо Меркер
МПК: H01G 9/15
Метки: конденсатор, электролитический, способ, изготовления
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способу изготовления электролитического конденсатора с низким экви-валентным серийным сопротивлением и низким током утечки, который содержит твердый электролит из проводящего полимера и наружный слой, состоящий из проводящего полимера и связующего, а также к электролитическому конденсатору, изготовленному этим способом, и его применению в электронных схемах.
Подложка для анода конденсатора и электролитический конденсатор, включающий подложку, переведенную в анод
Номер предварительного патента: 18003
Опубликовано: 15.11.2006
Авторы: КОНЛОН, Анэстейшия, СИМКИНС, Ли
МПК: C25B 11/04
Метки: анод, переведенную, электролитический, включающий, анода, конденсатор, подложка, конденсатора, подложку
Формула / Реферат:
Настоящее изобретение относится к подложкам для конденсаторов с высокой диэлектрической постоянной, а именно к подложке для анода конденсатора, выполненной из порошка на основе тантала и/или ниобия, которая «формуется» мокрым или сухим электролитическим путем так, чтобы создать тонкий диэлектрический слой окиси тантала и/или ниобия (обычно пятиокиси тантала и/или ниобия).Сплавы Ta-Si, Nb-Si, TaN-Si, NbN-Si и их варианты используются как...