Подложка для анода конденсатора и электролитический конденсатор, включающий подложку, переведенную в анод
Номер предварительного патента: 18003
Опубликовано: 15.11.2006
Авторы: СИМКИНС, Ли, КОНЛОН, Анэстейшия
Формула / Реферат
Настоящее изобретение относится к подложкам для конденсаторов с высокой диэлектрической постоянной, а именно к подложке для анода конденсатора, выполненной из порошка на основе тантала и/или ниобия, которая «формуется» мокрым или сухим электролитическим путем так, чтобы создать тонкий диэлектрический слой окиси тантала и/или ниобия (обычно пятиокиси тантала и/или ниобия).
Сплавы Ta-Si, Nb-Si, TaN-Si, NbN-Si и их варианты используются как улучшенные порошковые анодные подложки для анодов электролитических конденсаторов (спеченные порошковые массы) с образованием диэлектрической окисной пленки на стенках внутренних пор.
МПК / Метки
МПК: C25B 11/04
Метки: конденсатор, анод, подложка, включающий, подложку, конденсатора, анода, электролитический, переведенную
Код ссылки
<a href="https://kz.patents.su/0-pp18003-podlozhka-dlya-anoda-kondensatora-i-elektroliticheskijj-kondensator-vklyuchayushhijj-podlozhku-perevedennuyu-v-anod.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Подложка для анода конденсатора и электролитический конденсатор, включающий подложку, переведенную в анод</a>
Предыдущий патент: Способ получения окисленных битумов и устройство для его осуществления
Следующий патент: Способ кучного выщелачивания полезных ископаемых
Случайный патент: Восстановительно-флюсующая добавка к шихте для электротермического получения фосфора