Способ ионно-плазменной цементации поверхностей
Номер патента: 4702
Опубликовано: 15.06.2001
Авторы: Ламонов Иван Михайлович, Юхимчук Станислав Алексеевич
Формула / Реферат
Изобретение относится к химико-термической обработке, а именно цементации поверхностей металлических изделий. Сущность изобретения заключается в том, что предварительно очищенный от кислорода газообразный карбюризатор, например, пропан-бутоан, метан или другой углеводородный газ подают для активной диссоциации молекул в нагреваемую внешним источником энергии полость графитового анода с последующем перемещением в нем изделия-катода, а для направленной ионизации молекул углерода в образовавшемся между ними межэлектродном зазоре создается объемный несамостоятельный разряд, поддерживаемый напряжением электрического тока, приложенного к электродам.
МПК / Метки
МПК: C23C 8/36
Метки: способ, цементации, ионно-плазменной, поверхностей
Код ссылки
<a href="https://kz.patents.su/0-4702-sposob-ionno-plazmennojj-cementacii-poverhnostejj.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ ионно-плазменной цементации поверхностей</a>
Предыдущий патент: Стероидное соединение
Следующий патент: Способ нанесения покрытий на металлические поверхности изделий
Случайный патент: Способ моделирования имплантантов для накостного остеосинтеза