C30B 31/04 — контактированием с диффузионным материалом в жидком состоянии
Способ получения полупроводниковых материалов на основе халькогенидов металлов
Номер патента: 3811
Опубликовано: 15.03.2001
Автор: Теут Андрей Олегович
МПК: C22C 32/00, C30B 29/12, C22C 1/03...
Метки: полупроводниковых, халькогенидов, способ, основе, металлов, получения, материалов
Формула / Реферат:
Изобретение относится к металлургии полупроводников, а именно халькогенидов висмута, сурьмы, свинца, цинка, олова, германия и твердых растворов на их основе.Задача - разработка способа получения полупроводниковых материалов на основе халькогенидов тяжелых цветных металлов с надежно воспроизводимыми и устойчивыми термоэлектрическими свойствами.Технический результат достигается тем, что исходные материалы, представляющие халькогены, и тяжелые...