C30B 29/12 — галогениды
Способ получения полупроводниковых материалов на основе халькогенидов металлов
Номер патента: 3811
Опубликовано: 15.03.2001
Автор: Теут Андрей Олегович
МПК: C22C 32/00, C22C 1/03, C30B 29/12...
Метки: получения, полупроводниковых, материалов, халькогенидов, основе, металлов, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к металлургии полупроводников, а именно халькогенидов висмута, сурьмы, свинца, цинка, олова, германия и твердых растворов на их основе.Задача - разработка способа получения полупроводниковых материалов на основе халькогенидов тяжелых цветных металлов с надежно воспроизводимыми и устойчивыми термоэлектрическими свойствами.Технический результат достигается тем, что исходные материалы, представляющие халькогены, и тяжелые...