Способ получения высокочистой меди

Номер предварительного патента: 7318

Опубликовано: 15.03.1999

Автор: Демеев Бауржан Байтугыл-улы

Формула / Реферат

Способ получения высокочистой меди включает проведение электролиза с разделением катодного и анодного пространств микропористой диафрагмой, преимущественно из мипласта. Ванну раствора, содержащего нитрат меди, нитрат аммония, подкисляют азотной кислотой до рН4, причем католит содержит глицин и лейцин в количествах, достаточных для исключения подщелачивания прикатодного пространства, а анолит содержит дополнительно хлорид аммония. Электролиз ведут при 20-70 °С и плотности тока 30-280А/м2.
Способ позволяет из медных анодов с содержанием не менее 99,95 % суммы меди и серебра получить высокочистую медь, пригодную для электронной техники, с содержанием меди не менее 99,999 %.

МПК / Метки

МПК: C25C 1/12

Метки: меди, способ, высокочистой, получения

Код ссылки

<a href="https://kz.patents.su/0-pp7318-sposob-polucheniya-vysokochistojj-medi.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ получения высокочистой меди</a>

Похожие патенты