Ждан Геннадий Тимофеевич
Способ формирования в образце профиля ионного повреждения и легирования
Номер патента: 1909
Опубликовано: 15.07.1995
Авторы: Ждан Геннадий Тимофеевич, Чакров Петр Васильевич, Вагин Сергей Петрович
МПК: C23C 14/48
Метки: профиля, легирования, образце, способ, формирования, ионного, повреждения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к области ионной имплантации и может быть использовано для изучения процессов формирования и эволюции радиационных дефектов и фазовых превращений вдоль пробега заряженных частиц в твердом теле, а также для создания в материалах профилей ионного повреждения и легирования. Способ формирования в образце профиля ионного повреждения и легирования включает ионную имплантацию поверхности образца. Перед ионной имплантацией на...