C23C 14/48 — ионное внедрение
Способ формирования в образце профиля ионного повреждения и легирования
Номер патента: 1909
Опубликовано: 15.07.1995
Авторы: Чакров Петр Васильевич, Ждан Геннадий Тимофеевич, Вагин Сергей Петрович
МПК: C23C 14/48
Метки: профиля, образце, способ, легирования, ионного, формирования, повреждения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к области ионной имплантации и может быть использовано для изучения процессов формирования и эволюции радиационных дефектов и фазовых превращений вдоль пробега заряженных частиц в твердом теле, а также для создания в материалах профилей ионного повреждения и легирования. Способ формирования в образце профиля ионного повреждения и легирования включает ионную имплантацию поверхности образца. Перед ионной имплантацией на...