Патенты с меткой «облученных»
Универсальный криостат для регистрации низкотемпературной ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации деформированных и облученных кристаллов
Номер инновационного патента: 28731
Опубликовано: 15.07.2014
Авторы: Жантурина Нургул Нигметовна, Сергеев Дәулет Мақсатұлы, Мясникова Людмила Николаевна, Бармина Александра Александровна, Шункеев Куанышбек Шункеевич, Нурмагамбетов Амантай Абилхаирович
МПК: F25D 3/10
Метки: универсальный, регистрации, ионной, кристаллов, термостимулированной, низкотемпературной, деформированных, деполяризации, проводимости, облученных, криостат, токов
Формула / Реферат:
Универсальный криостат для регистрации низкотемпературной ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации деформированных иоблученных кристалловИзобретение относится к криогенной технике, физике конденсированного состояния и материаловедения, а именно к способу регистрации низкотемпературной ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации деформированных и облученных кристаллов.Универсальный криостат позволяет...
Способ прогнозирования риска генетических последствий облучения малыми дозами у потомков облученных лиц
Номер инновационного патента: 25972
Опубликовано: 15.08.2012
Авторы: Жетписбаев Бекболат Адамович, Чайжунусова Найля Жакияновна, Мадиева Мадина Рашидовна, Манамбаева Зухра Алпысбаевна
МПК: G01N 33/48
Метки: облучения, потомков, облученных, генетических, способ, дозами, малыми, последствий, риска, прогнозирования, лиц
Формула / Реферат:
Изобретение относится к области медицины, а именно к радиационной цитогенетике и может быть использовано при проведении профилактических и лечебных мероприятий у жителей, пострадавших от деятельности СИЯП.Способ применен у 50 доноров, проживающих в Абралинском и Бескарагайском районах ВКО, являющихся потомками лиц, подвергавшихся непосредственному облучению в период испытаний ядерного оружия на СИЯП.У потомков проводят цитогенетический анализ...