Транзисторный модулятор малых сигналов (варианты)

(51) 03 1/42 (2010.01) 03 1/54 (2010.01) КОМИТЕТ ПО ПРАВАМ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ МИНИСТЕРСТВА ЮСТИЦИИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН(54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ МОДУЛЯТОР МАЛЫХ СИГНАЛОВ (ВАРИАНТЫ)(57) Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в высокочувствительных системах автоматического регулирования и прецизионной информационно - измерительной технике, которые работают по схеме модулятор усилитель - демодулятор (М - ДМ). Предлагаемое основное техническое решение задачи и двух вариантов с развитием относится к модуляторам, выполняемых на транзисторах различного типа проводимости и работающие в ключевом режиме в инфранизкочастотном спектре частот. Сущность решения основной задачи заключается в том, что, в отличие от известных, содержит в свом составе две пары транзисторов, в которых одна пара транзисторов имеет противоположный тип проводимости по отношению к другой паре и выходной дифференциальный трансформатор с двумя первичными дифференциальными обмотками. В отличие от устройств - аналогов позволяет исключить влияние остаточных параметров транзисторов, а также импульсной помехи (паразитных выбросов) при работе модулятора,стабилизировать температурновременной дрейф нуля увеличить чувствительность и динамический диапазон выходных сигналов отказаться от подбора пар транзисторов по их остаточным параметрам перед монтажом исключить регулировку в процессе эксплуатации и обеспечить работу модулятора от высокоомных и низкоомных источников преобразуемого сигнала. Сущность решения задачи (первого варианта с развитием) заключается в том, что в устройстве(решенной в основной задаче) удалось, путем введения дополнительных двух пар транзисторов,упростить сложный выходной дифференциальный трансформатор и тем самым использовать стандартный,промышленно выпускаемый,дифференциальный трансформатор. А в последующем варианте и вовсе исключить выходной дифференциальный трансформатор и тем самым повысить линейность амплитудно-частотной характеристики,улучшить массогабаритные показатели модулятора, что позволяет использовать существующие интегральные транзисторные матрицы и современную технологию изготовления интегральной микросхемы,при сохранении достоинств основного модулятора. Достоинства предлагаемых модуляторов позволяет им конкурировать с высокочувствительными контактными модуляторами и дает возможность использовать их в изделиях, применяемые схему усиления М-ДМ, и требующие стабильность характеристик модулятора в сложных и длительных дестабилизирующих условиях. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ 1. Транзисторный модулятор малых сигналов,содержащий источник коммутационного напряжения, источник преобразуемого сигнала,первую и вторую пару транзисторов, в каждой паре которых коллекторы транзисторов соответственно объединены попарно, пару базовых резисторов,первые выводы которых подключены к базам каждой пары транзисторов соответственно, а также выходной дифференциальный трансформатор с первой и второй первичными полуобмотками и вторичной обмоткой, которая подключена к общей нагрузке, отличающийся тем, что введены третья и четвертая полуобмотки в первичную обмотку выходного дифференциального трансформатора,включенные встречно по отношению друг к другу и к первой и второй полуобмоткам соответственно,при этом начало первой и второй полуобмоток подключены к эмиттерам первой пары транзисторов соответственно, а конец третьей и четвертой полуобмоток подключены соответственно к эмиттерам второй пары транзисторов, конец первой и второй полуобмоток, начало третьей и четвертой полуобмоток соединены между собой и подключены через источник преобразуемого сигнала к объединенным коллекторам пар транзисторов соединенных вместе,которые подключены через источник коммутационного напряжения ко вторым выводам базовых 26 резисторов, соединенных между собой, причем первая пара транзисторов имеет противоположную структуру проводимости по отношению ко второй паре транзисторов. 2. Транзисторный модулятор малых сигналов,содержащий источник коммутационного напряжения, источник преобразуемого сигнала,первую и вторую пару транзисторов, в каждой паре которых коллекторы транзисторов объединены попарно, пару базовых резисторов, а также выходной дифференциальный трансформатор, с двумя первичными полуобмотками и одной вторичной обмоткой, которая подключена к общей нагрузке, отличающийся тем, что введены дополнительно третья и четвертая пара транзисторов, в каждой паре которых коллекторы транзисторов объединены, при этом в каждой паре основных и дополнительных транзисторов транзисторы имеют взаимно противоположную структуру проводимости, а первичная обмотка выходного дифференциального трансформатора выполнена в виде двух встречно включенных полуобмоток, при этом базы транзисторов первой,второй и третьей, четвертой пары транзисторов соответственно объединены попарно и подключены через базовые резисторы к выводам источника коммутационного напряжения,а эмиттеры транзисторов первой и третьей пары транзисторов соответственно объединены попарно и подключены к началам полуобмоток выходного дифференциального трансформатора, а эмиттеры транзисторов второй и третьей пары транзисторов соответственно объединены попарно и подключены к концам полуобмоток, причем объединенные коллекторы транзисторов первой, четвертой и второй, третьей пары транзисторов соответственно соединены попарно и подключены к выводам источника преобразуемого сигнала. 3. Транзисторный модулятор малых сигналов,содержащий источник коммутационного напряжения, источник преобразуемого сигнала,первую и вторую пару транзисторов, в каждой паре которых коллекторы транзисторов объединены,пару базовых резисторов и общую нагрузку,отличающийся тем, что введены дополнительно третья и четвертая пара транзисторов, в каждой паре которых коллекторы транзисторов объединены,пара первичных нагрузочных резисторов, две пары конденсаторов, при этом в каждой паре основных и дополнительных транзисторов транзисторы имеют взаимно противоположную структуру проводимости, базы транзисторов первой, второй и третьей,четвертой пары транзисторов соответственно объединены попарно и подключены через базовые резисторы к выводам источника коммутационного напряжения,а эмиттеры транзисторов первой и третьей пары транзисторов соответственно объединены попарно и подключены к первым выводам одной пары конденсаторов и первым выводам первичных нагрузочных резисторов, вторые выводы которых подключены соответственно к объединенным попарно эмиттерам второй и четвертой пары транзисторов и к первым выводам другой пары конденсаторов, а вторые выводы конденсаторов в каждой паре конденсаторов соединены между собой и подключены к выводам общей нагрузки, причем объединенные коллекторы транзисторов первой,четвертой и второй, третьей пары транзисторов соответственно соединены попарно и подключены к выводам источника преобразуемого сигнала.