Система защиты от подделки, способы аутентификации изделия (варианты), изделие и защитная маркировка

(51) 07 7/06 (2006.01) 06 7/12 (2006.01) 06 19/14 (2006.01) КОМИТЕТ ПО ПРАВАМ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ МИНИСТЕРСТВА ЮСТИЦИИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ Устройство аутентификации содержит, по крайней мере,один первый источник электромагнитного излучения, по крайней мере,одной предварительно выбранной длины волны и,по крайней мере, один второй источник, по крайней мере, одной второй предварительно выбранной длины волны, которая отличается от первой длины волны. Излучение первой и второй длины волны выбирают таким образом,чтобы их комбинированным воздействием вызвать в повышающем преобразующем материале спектр испускания. Электромагнитный спектр испускания указанного повышающего преобразующего материала содержит излучение, по крайней мере,одной длины волны,которая является характеристической для возврата, по крайней мере,одного электрона с энергетического уровня, в который он перешел под воздействием комбинированного излучения, по крайней мере,первой и второй длины волны. Техническим результатом изобретения является повышение наджности защиты изделий от подделок и упрощение подбора материала для защитной маркировки за счт расширения ряда приемлемых повышающих преобразующих материалов.(54) СИСТЕМА ЗАЩИТЫ ОТ ПОДДЕЛКИ,СПОСОБЫ АУТЕНТИФИКАЦИИ ИЗДЕЛИЯ(57) Изобретение относится к усовершенствованной системе защиты изделий от подделки и к способу аутентификации защищенных изделий. Система защиты включает защитную маркировку изделия, по крайней мере, часть которой выполнена из, по крайней мере, одного материала, преобразующего сигнал с повышением частоты (повышающий преобразующий материал), и, по крайней мере, одно устройство аутентификации,в частности считыватель. 16734 Настоящее изобретение относится к усовершенствованной системе защиты изделия от подделки и к усовершенствованному способу аутентификации защищнного изделия. Композиционные покрытия,содержащие материалы, преобразующие сигнал с повышением частоты (повышающие преобразующие материалы),в частности, пигменты, используемые при защите документов, хорошо известны и описаны в нескольких публикациях, например, в 2 258 659, 2 258 660, ., 8, 1996. Люминесцентные материалы могут поглощать некоторые виды энергии, действующие на них, и впоследствии излучать эту поглощнную энергию в виде электромагнитного излучения. Понижающие преобразующие люминесцентные материалы поглощают электромагнитное излучение при более высокой частоте (меньшей длине волны) и излучают его при более низкой частоте (большей длине волны). Повышающие преобразующие люминесцентные материалы поглощают электромагнитное излучение при более низкой частоте и излучают часть его при более высокой частоте. Люминесцентные материалы используются для кодирования и маркировки товаров массового производства, дорогостоящих фирменных изделий и для защиты документов. В некоторых случаях повышающий преобразующий люминесцентный материал добавляется в качестве скрытой метки в бесцветную или цветную покрывающую композицию или печатную краску, которые наносятся на товары в виде маркировочного ярлыка,в форме штриховых кодов, эмблем компаний,этикеток и т.д. Это позволяет в последующем распознавать истинное изделие и таким образом бороться против подделок и хищничества товаров. Световое излучение люминесцентных материалов возникает в результате возбужднных состояний в атомах или молекулах. Радиационный спад возбужднных состояний имеет характерное время спада, которое зависит от материала и может быть в пределах времени жизни от менее чем 10-9 секунд до нескольких часов. Это означает, что между возбуждением и световым излучением имеется определнный промежуток времени. Большинство люминесцентных материалов или повышающих преобразователей, в особенности повышающие преобразующие материалы, подходят для создания стандартных машиночитаемых кодов. Машинная удобочитаемость является предпосылкой для применения повышающих преобразователей в товарах массового производства, так как она широко используется в автоматизации,автоматических процессах сортировки,при контроле партий изделий, аутентификации товаров,качества и упаковки. Машинная удобочитаемость,безусловно, также используется в целях защиты от подделок и обнаружения обмана, так называемая машинная верификация. Повышающие преобразующие материалы являются материалами неорганического происхождения и в основном состоят из кристаллической 2 рештки, в которой присутствуют редкоземельные ионы в качестве активаторов и сенсибилизаторов. Возбуждающие и излучающие характеристики повышающих преобразующих материалов являются характеристиками, присущими редкоземельным элементам. Их соответствующие характеристики поглощения и излучения света обусловлены электронными переходами внутри незаполненной 4 оболочки редкоземельного иона. Эта электронная оболочка хорошо защищена от химического окружения атома,так что колебания в кристаллической рештке, тепловые колебания и т.д. оказывают только незначительное воздействие на не. Поэтому редкоземельные ионы имеют узкую частотную полосу оптического спектра поглощения и излучения, которая является в значительной степени независимой от природы кристаллической рештки. Отчетливые дискретные полосы и слабое взаимодействие с кристаллической решткой обычно приводят к высокому насыщению люминесцентного цвета и высокому квантовому выходу люминесценции. Редкоземельные ионы в качестве люминесцентных активаторов имеют относительно длительные возбужднные состояния и специфическую электронную структуру. Это позволяет энергии двух или нескольких фотонов последовательно перейти в один люминесцентный центр и скопиться там. Электрон таким образом промотируется на более высокий энергетический уровень по сравнению с соответствующей энергией входящего фотона. Когда этот электрон возвращается из своего более высокого уровня в основное состояние, излучается фотон, имеющий сумму энергий кумулированных возбужднных фотонов. Таким образом можно преобразовать,например, инфракрасное излучение в видимый свет. В качестве основы люминесцентного вещества используются в основном галогениды щелочных и щелочноземельных металлов, а также галогениды,оксигалогениды и оксисульфиды иттрия, лантана и гадолиния, тогда как в качестве активаторов используются , Н 3 и Т. Дополнительно в кристаллической рештке могут присутствовать иттербий (3) и/или другие ионы в качестве сенсибилизатора для увеличения квантового выхода. Повышающие преобразующие материалы,которые достаточно устойчивы, чтобы быть включнными в среды-носители,широко описывались в литературе с точки зрения качества и количества рештки-хозяина,способов производства,редкоземельных активаторов,способов возбуждения и обнаружения. Поэтому фальсификаторы могут иметь доступ к повышающим преобразующим материалам и опубликованной технологии и, в конечном итоге,подделать защитные знаки. Таким образом,существующие способы и средства защиты изделий ненадежны и требуют совершенствования. Системы защиты изделий, согласно описанию в 2 258 659 и 2 258 660, включают устройство аутентификации и защитные маркировки, 16734 основанные на повышающих преобразующих материалах, которые зависят от поглощения двух или нескольких фотонов с одинаковой длиной волны. Для этого требуются активные ионы,которые имеют энергетические уровни с почти регулярными интервалами, то есть дистанцией, по крайней мере, между основным и первым возбужднным энергетическим состоянием редкоземельного иона почти равной энергетической дистанции между первым и вторым возбужднным состоянием. Это требование приблизительно выполняется только в 3, 3 и Т 3 и представляет, таким образом, основное ограничение для расширения имеющегося ряда повышающих преобразователей. Способ аутентификации защищенного вышеописанной маркировкой изделия с использованием описанной выше защитной системы включает воздействие на повышающий преобразующий материал электромагнитным излучением предварительно выбранной длины волны, регистрацию и анализ спектра излучения указанного повышающего преобразующего материала или измерение и анализ спектра поглощения указанного повышающего преобразующего материала. Использование нового повышающего преобразующего материала для защитной маркировки изделий, соответственно,требует нового устройства и нового способа аутентификации защищенных изделий,соответствующих специфическим свойствам нового повышающего преобразующего материала. Задачей изобретения является создание системы защиты изделия с новыми усовершенствованными характеристиками,разработка усовершенствованной защитной маркировки,основанной на повышающих преобразующих материалах,и способов аутентификации изделия с такой маркировкой. Техническим результатом изобретения является повышение надежности защиты изделий от подделок и упрощение подбора материала для защитной маркировки за счет расширения ряда приемлемых повышающих преобразователей. Задача решается посредством отличительных признаков независимых пунктов формулы изобретения. В частности, она разрешается с помощью усовершенствованной системы защиты изделия,включающей защитную маркировку, выполненную,по крайней мере, из одного повышающего преобразующего материала, который включает, по крайней мере, один активирующий ион, имеющий дискретные энергетические уровни, и, по крайней мере, одно устройство аутентификации. Устройство включает, по крайней мере, один источник электромагнитного излучения, по крайней мере, с одной первой предварительно выбранной длиной волны и, по крайней мере, один второй источник электромагнитного излучения, по крайней мере, с одной второй предварительно выбранной длиной волны, причм указанная первая и указанная вторая длина волны отличаются друг от друга и выбираются таким образом, чтобы повышающий преобразующий материал испускал электромагнитное излучение в ответ на комбинированное излучение, по крайней мере, с указанной первой и второй длинами волн. Указанное испускаемое электромагнитное излучение включает излучение, по крайней мере,ещ одной третьей длины волны, которая является характеристической для возврата, по крайней мере,одного электрона с энергетического уровня указанного активирующего иона, электрон которого возбуждается комбинированным излучением, по крайней мере, указанной первой и указанной второй длины волны. Третья длина волны отличается от указанной первой и указанной второй длины волны. Термин система защиты изделия означает комбинацию защитной маркировки, по крайней мере, часть которой выполнена из вещества,имеющего специфические свойства,и соответствующего устройства аутентификации или считывающего устройства/устройства обнаружения,которое способно измерять и/или анализировать и/или определять количественно указанные специфические свойства посредством оптического,электронного и/или механического прибора. Термин защищенное изделие следует понимать как изделие, снабженное маркировкой, по крайней мере, часть которой выполнена из указанного повышающего преобразующего материала, по крайней мере, с одним активирующим ионом, имеющим дискретные энергетические уровни, который испускает излучение в ответ на комбинированное возбуждение излучением, по крайней мере, двух длин волн, отличающихся друг от друга. Повышающий преобразующий материал может быть внедрен в покрывающую композицию, в частности, в виде типографской краски, и приложен в качестве слоя к защищаемому изделию. В другом примере осуществления изобретения повышающий преобразующий материал внедрен в материал защищаемого изделия, например, в бумагу банкноты. Защитная маркировка может быть также приложена или/ и внедрена в другой защитный знак,например, в голограмму. Усовершенствованная система настоящего изобретения расширяет возможности защиты продукции. Применение повышающих преобразующих материалов для защитных маркировок больше не ограничивается теми материалами, которые имеют энергетические уровни с почти регулярными равноудалнными интервалами, но позволяют, в соответствии с изобретением, использовать любой произвольный редкоземельный активатор,который имеет достаточно длительное промежуточное возбужднное состояние, и матрицу-основу,устойчивую к среде применения. Таким образом,группа редкоземельных ионов значительно расширилась. Устройство аутентификации включает два или несколько источников электромагнитного 3 16734 излучения, в которых первый источник испускает излучение первой предварительно подобранной длины волны, а второй источник испускает излучение второй предварительно подобранной длины волны. Другие источники могут испускать излучение других длин волн. Источники могут быть соединены в одном и том же физическом устройстве. Предпочтительно, источник/источники электромагнитного излучения является/являются лазером/лазерами или включают лазеры. В люминофоре, где первая энергетическая зона между основным и первым возбужднным состоянием активирующего иона отличается от второй энергетической зоны между указанным первым и вторым возбужднным состоянием, излучение указанной первой длины волны, соответствующей,согласно закону Планка Е, указанной первой энергетической зоне, приведт только к росту заселнности активирующих ионов в указанном первом возбужднном состоянии. Одновременное излучение из источника с указанной второй длиной волны,соответствующей указанной второй энергетической зоне, может вызвать дальнейший рост ионной заселнности в указанном первом возбужднном состоянии вплоть до указанного второго, более высокого возбужднного состояния. Образующаяся в результате заселнность ионов в указанном втором возбужднном состоянии приблизительно пропорциональна произведению интенсивностей излучения указанного первого и указанного второго источника света. Электрон промотируется из основного состояния в первое возбужднное состояние излучением первой предварительно подобранной длины волны и далее промотируется из первого возбужднного состояния во второе возбужднное состояние излучением второй предварительно подобранной длины волны. Произвольно электрон промотируется даже в более высокие возбужднные состояния путем дальнейшего воздействия на повышающий преобразователь излучением подходящих длин волн. Необходимым предварительным условием является то, что энергия излучения, по крайней мере, первой и второй длины волны должна быть способна промотировать электрон. Когда электрон возвращается из второго или какого-либо более высокого энергетического состояния в любое более низкое энергетическое состояние, испускается электромагнитное излучение,включающее специфическую третью предварительно определнную длину волны. В другом примере осуществления электрон промотируется из основного состояния в первое возбужднное состояние излучением первой предварительно подобранной длины волны, затем он возвращается в промежуточное состояние,энергетический уровень которого ниже по сравнению с первым возбужднным состоянием, но не идентичен энергетическому уровню основного состояния, после чего промотируется из этого промежуточного состояния во второе возбужднное состояние излучением второй предварительно подобранной длины волны. 4 Возбуждение до второго или более высоких возбужднных состояний можно, таким образом,считать как совместное возбуждение, по крайней мере, двумя источниками света определнного спектра. В контексте настоящего изобретения устройство аутентификации является переносным или стационарным. Лазер или лазеры могут испускать излучение предварительно выбранных длин волн в непрерывном режиме. В предпочтительном примере осуществления лазер испускает излучение в импульсном режиме с импульсами, имеющими пиковую мощность,которая достаточна для того, чтобы вызвать обнаруживаемое излучение указанного повышающего преобразующего материала. Предпочтительно, чтобы лазер имел пиковую мощность, равную или более 1 Вт, и наиболее предпочтительно - около 10 Вт. В частности, в случае, когда оборудование переносное, частота повторения импульса и ширина лазерных импульсов выбираются таким образом, чтобы средняя мощность лазера была достаточно мала и безопасна для глаз. Предпочтительно, чтобы средняя мощность лазера была равна или меньше, чем 5 мВт, более предпочтительно - равна или меньше 1 мВт, и ещ более предпочтительно - равна или менее 0,5 мВт. Для соблюдения ограничения средней мощности в пределах, не допускающих риска для глаз, длительность импульса лазерных импульсов должна быть равной или менее 10 мкс,предпочтительно - равной или менее 1 мкс, и ещ более предпочтительно - равной или менее 100 нс. По тем же причинам частота повторения импульса должна быть равной или менее 10 кГц,предпочтительно - равной или менее 1 кГц и ещ более предпочтительно - равной или менее 100 Гц. В случае, если устройство аутентификации включает более одного лазера и, в частности, когда устройство аутентификации является переносным,все лазеры работают в импульсном режиме,который соответствует ограничениям, данным ранее. Предпочтительно, чтобы все лазеры были совместимы с лазерами класса 1. Устройство аутентификации далее включает оптические элементы для направления и/или фокусировки лазерного луча на повышающем преобразующем материале или для образования параллельного луча света. Кроме того, оно может включать оптоэлектронные детектирующие средства. Устройство аутентификации может быть подсоединено к компьютеру или к микроконтроллеру чипа, которые производят оценку и обработку данных излучения. Излучение, по крайней мере, с первой и второй предварительно выбранной длиной волны может происходить точно в одно и то же время или с задержкой во времени относительно друг друга. Время задержки должно быть выбрано в пределах продолжительности соответствующих возбужднных состояний. В контексте настоящего изобретения электромагнитное излучение относится к излучению (как 16734 возбуждения, так и испускания) с длинами волн в диапазоне от 1 нм до 1 мм. Однако большая часть излучения возбуждения и большая часть испускаемого излучения является излучением с длинами волн в диапазоне от 100 нм до 10 мкм,таким образом,включая невидимое,ультрафиолетовое и инфракрасное,электромагнитное излучение. Дополнительно испускаемое излучение характеристической, заранее определнной третьей длины волны, которая служит для обнаружения,находится в диапазоне между 150 нм и 2500 нм. В предпочтительном примере осуществления изобретения испускаемое излучение характеристической, заранее определнной третьей длины волны, которое служит для обнаружения,является видимым невооружнным человеческим глазом и находится в диапазоне между 400 нм и 600 нм. Или же заранее определнную третью длину волны можно обнаружить с помощью кремниевого детектора. В другом примере осуществления настоящего изобретения характеристическая третья длина волны, которая служит для обнаружения, невидимо невооружнным человеческим глазом и находится предпочтительно в диапазоне между 180 нм и 400 нм. Ещ в одном примере осуществления настоящего изобретения испускаемое излучение характеристической длины волны,которая используется для обнаружения повышающего преобразующего материала,невидимо невооружнным человеческим глазом и предпочтительно находится в диапазоне между 700 нм и 2500 нм, более предпочтительно - в диапазоне между 1100 нм и 2500 нм. Ещ в одном примере осуществления настоящего изобретения излучение специфической третьей длины волны является обнаруживаемым и читаемым машиной. Чувствительность глаза находится в пределах 1 лм/м 2 для цветных рецепторов и 0,01 лм/м 2 для рецепторов белого света. Обнаруживаемое в этом контексте означает,что излучение может быть обнаружено с помощью соответствующего оптоэлектронного устройства для обнаружения. Оптоэлектронное обнаружение может осуществляться на уровне подсчта одного фотона, что означает около 10-14 лм/м 2. В случае электронного/оптоэлектронного обнаружения повышающий преобразующий материал не нуждается в возбуждении с помощью непрерывного луча указанной первой и указанной второй предварительно выбранных длин волн. Отклик может быть обнаружен уже на единичные импульсы возбуждения обеих длин волн. Это возможно вследствие того, что общедоступные электронные средства обнаружения являются достаточно быстрыми, чтобы распознать испускание излучения с характеристической длиной волны, даже если оно возбуждено импульсами в микросекундной шкале времени и ниже. Инерция человеческого глаза препятствует визуальному обнаружению событий,которые происходят быстрее, чем за 1/10 секунды. Поэтому оптоэлектронное устройство для обнаружения можно сконструировать так, что оно будет действовать совершенно скрытно даже с обычными повышающими преобразующими материалами, которые сами по себе обладают хорошей видимостью. Замаскированное обнаружение увеличивает возможности данного заявленного способа. Повышающие преобразующие материалы с редкоземельными активирующими ионами,имеющими приблизительно равномерно расположенные энергетические интервалы между основным состоянием и первыми несколькими возбужднными состояниями, уже хорошо известны для применения в системе защиты. Кроме этого, в настоящем изобретении придатся особое значение использованию редкоземельных активирующих ионов, имеющих неравномерно расположенные энергетические интервалы между их различными состояниями, для повышающих преобразующих фосфоров другого рода. Повышающим преобразующим материалом может быть кристаллический компонент,выбранный из группы, состоящей из чистых или смешанных щелочных и щелочноземельных галогенидов лантанидов и чистых или смешанных оксигалогенидов и оксисульфидов иттрия и лантана или гадолиния в качестве матрицы-основы, с добавками редкоземельных ионов в качестве активаторов и,произвольно,в качестве сенсибилизаторов. Предпочтительно,повышающий преобразующий материал является пигментом с размером частиц в диапазоне между 0,1 мкм и 50 мкм, более предпочтительно - в диапазоне между 1 мкм и 20 мкм и ещ более предпочтительно - в диапазоне между 3 мкм и 10 мкм. В предпочтительном примере осуществления настоящего изобретения пигмент,который применяется в системе защиты изделия, включает стеклокристаллические частицы. Стеклокристаллические материалы представляют собой композиционные твердые неорганические материалы,получаемые в результате контролируемой кристаллизации стекла и состоящие из одной или нескольких кристаллических фаз, равномерно распределенных в стекловидной фазе. Кристаллы возникают и растут равномерно по всему объему в результате термической обработки. Предпочтительно,кристаллическая фаза стеклокристаллических материалов представляет собой люминофор. Люминофоры, которые являются неустойчивыми в обычной окружающей среде, могут быть таким образом защищены от вредного влияния кислорода, влажности и т.д. Стеклянная матрица также защищает кристаллы от растворения в неблагоприятной среде и позволяет включать их в покрывающую композицию и тому подобное. Благодаря этому способу новые типы люминофоров могут применяться при печати. Люминесцентные вещества, представляющие интерес с точки зрения фотофизики, - это, например,5 16734 водорастворимые в некоторой или в значительной степени фториды,хлориды или бромиды лантанидных элементов. Растворимость обусловлена весьма слабыми электростатическими силами кристаллической рештки, связанной с однозарядными анионами. Те же материалы показывают, вследствие той же причины и/или вследствие присутствия тяжлых ионов, только низкочастотную форму колебаний (фононовые колебания) их кристаллических решток. Отсутствие высокочастотных колебаний приводит к значительному увеличению длительности возбужднных состояний и квантового выхода люминесценции. Причиной этого является то, что вероятность вибрационного снятия возбуждения активирующего иона, возбужднного электронным путм, низкая, если энергетическая зона до следующего ниже расположенного электронного уровня гораздо больше по сравнению с энергией самой высокой формы колебаний (энергия фонона) кристаллической рештки. В таких случаях перенос энергии к кристаллической рештке становится незначительным. Таким образом, предпочтительны материалы-основы с низкой энергией фонона, в частности, для повышающих преобразующих фосфоров,где необходимы длительные возбужднные состояния для достижения высокого квантового выхода. К сожалению,водорастворимость и влагочувствительность галогенидов лантанидов и родственных материалов до сих пор препятствует их применению в технических разработках. Предпочтительно, кристаллический компонент стеклокристаллических материалов имеет энергию фонона, не превышающую 580 см-1, предпочтительно - не превышающую 400 см-1 и ещ более предпочтительно - не превышающую 350 см-1. Материалы с такими весьма низкими значениями энергии фонона особенно подходят для использования в качестве люминесцентных основ,потому что они допускают испускания из возбужднных энергетических уровней, тогда как в материалах с высокой энергией фонона, как,например, оксиды или подобные им, происходит тушение. Фононы, как указывалось, представляют собой колебания кристаллической рештки в материале. Соответствующая энергия фонона связана, по правилу Планка , с частотойсамой высокой полосы поглощения соединения, измеренной методом инфракрасной спектроскопии . Если возбужднный редкоземельный ион имеет возможность перехода между двумя энергетическими уровнями, что только в несколько раз превышает энергию фонона рештки основы,энергия преимущественно и быстро рассеется на кристаллической рештке без испускания электромагнитного излучения (безызлучательный переход). В рештке основы с гораздо меньшей энергией фонона тот же переход будет преимущественно излучательным. В промежуточных случаях процессы излучения и 6 безызлучательной дезактивации будут конкурировать друг с другом. В ионе Р 3 уровень 14 только на 3000 см-1 выше уровня 34. В оксидной матрице, как,например, празеодимное стекло, требуется только несколько колебательных фононов - (1100 см-1),чтобы преодолеть эту зону. Таким образом, любой возбужднный электрон на уровне 14 быстро 3 4 фононами возвращается на уровень возбужденной кристаллической рештки,и электромагнитного излучения соответствующей длины волны не происходит. В ионе Р 3,добавленном в а 3 матрицу, энергия фонона равна 350 см-1, и переход с 14 на 34 иона 3 происходит с излучением. Кроме того, время жизни состояния 1 4 существенно продолжительное. Поскольку энергии фонона контролируются прочностью химической связи и массами ионов,образующих кристаллическую рештку, тяжлые элементы со слабой связью дают материалы с самой низкой энергией фонона. Стекло с фторидом тяжлого металла, как, например,(534202433320), имеет половину максимальной энергии фонона силикатов и, таким образом, требуется в два раза больше фононов для тушения уровня 14 в Р 3. Стекло , хорошо известное как рештка-основа для применения в лазерной и волоконно-оптической технологиях,может также использоваться в качестве стеклянного компонента в стеклокристаллических композиционных материалах в соответствии с настоящим изобретением. Предпочтительно, если стеклокристаллический материал существенно прозрачен для электромагнитного излучения в диапазоне между 400 нм и 750 нм, то есть в видимой области электромагнитного спектра. Прозрачность стеклокристаллических материалов определяется средними размерами вкрапленных кристаллов и/или разницей между показателями преломления света в кристаллах и в стеклянной матрице. В предпочтительном примере осуществления средний размер кристаллов не превышает 40 нм. В другом предпочтительном примере осуществления среднее расстояние от одного вкрапленного в стеклянную матрицу кристалла к другому не может превышать 50 нм, более предпочтительно - не превышает 40 нм. Кроме прозрачности, причиной ограничения размеров кристаллов является также необходимость надежной защиты кристаллов стеклянной матрицей. Кристаллы-основы, чьи повышающие преобразующие свойства имеют слабую устойчивость к воздействию окружающей среды и как физически, так и химически неустойчивы к органическим смолам, растворителям, влажности и т.д., могут быть эффективно защищены стеклянной матрицей, имеющей физическую и химическую устойчивость. Даже измельчение стеклокристаллического материала до требуемого размера частиц не наносит вреда их повышающим преобразующим свойствам. Когда кристаллы 16734 достаточно малы,они остаются надежно защищнными стеклянной матрицей. В предпочтительном примере осуществления,по крайней мере, один кристалл, вкрапленный в стеклянную матрицу, содержит активный ион. В контексте настоящего изобретения активные ионы и/или ионы сенсибилизатора,присутствующие, по крайней мере, в одном из кристаллов в стеклянной матрице, представляют собой редкоземельные ионы с соответствующей электронной структурой, в частности, подходящими являются редкоземельные ионы, выбранные из группы следующих 3, 3, 3, 3, 3, 3,Но 3, 3, 3 и 3. В предпочтительном примере осуществления настоящего изобретения стеклокристаллические материалы представляют собой оксифторидные стеклокристаллические материалы. Оксифториды имеют низкую энергию фотона фторидной матрицы,а также долговечность и механические свойства оксидного стекла. Оксидное стекло определяет механические и физические свойства композита,тогда как оптические свойства активного иона контролируются вкрапленной фторидной кристаллической фазой. Предпочтительная стеклянная матрица оксифторидов состоит в основном из стекла(2232).в качестве стекла-основы показывает благоприятные свойства в отношении плавки и формования, хорошей прозрачности и отличной химической устойчивости. Предпочтительное содержание 2 в стекле находится в области между 30 моли 90 мол ,более предпочтительно - между 50 моли 80 мол. Чем выше содержание 2, тем более вязким становится стекло и тем легче из него можно формировать большие блоки. Однако при этом уменьшается устойчивость фтора по сравнению со стеклом, содержание 2 в котором стремится к нижнему пределу. 2 можно заменить, например,на еО 2, а А 2 О 3 - на а 2 О 3. Щелочной оксид 2 можно заменить полностью или частично другими щелочами оксидами, смесью щелочных оксидов или щелочноземельными оксидами, например, ВаО. В стекломожно добавлять многие другие ингредиенты для того,чтобы изменить коэффициенты преломления и расширения,устойчивость, плотность и цвет стеклянной матрицы. Предпочтительно, чтобы кристаллическая фаза в оксифторидах включала а 3. Стеклокристаллический материал с а 3 можно получить термической закалкой стекла ,богатого оксидом А 2 О 3 и насыщенного а 3. Растворимость а 3 определяется А 2 О 3 в стекле. При уровнях а 3 гораздо ниже пределов растворимости получаются устойчивые сткла,которые не образуют стеклокристаллические материалы при термообработке. Поэтому содержание 3 в стекле должно быть в пределах 15 , предпочтительно 10 от границы растворимости 3. В случае, если содержание щлочи заменяется щелочноземельными составами, повышается. Поэтому растворимость 3 количество 3 должно быть увеличено. Стеклокристаллический материал с 3 химически устойчив и во многих других отношениях лучше,чем стеклокристаллический материал, который использовался раньше, например, на основе стекла. Кристаллическая фаза а 3 позволяет распределить любой редкоземельный элемент. Поэтому огромное разнообразие повышающих и понижающих преобразующих люминофоров с очень необычными электронными структурами может быть получено заменой части или всего 3 на другие редкоземельные ионы,которые чувствительны к возбуждающему излучению и которые обычно не используются в установленном документе и защитных фосфорах изделий. Таким образом, использование стеклокристаллических люминофоров в сочетании с двух- или мультифотонным возбуждением в соответствии с усовершенствованной системой защиты изделия настоящего изобретения существенно расширяет ряд люминесцентных материалов, способных излучать в режиме преобразования с повышением частоты. В предпочтительном примере осуществления оксифторидные стеклокристаллические материалы являются прозрачными и бесцветными для человеческого глаза. Путм управления процессом формирования микроструктуры может быть достигнута прозрачность оксифторидных стеклокристаллических материалов,которая эквивалентна прозрачности лучших оптических сткол. Вообще микроструктура стеклокристаллического материала с а 3 является функцией температуры термообработки. После термообработки при 750 С в течение 4 часов большое количество относительно небольших кристаллов а 3 (около 7 нм) видимо. Чем выше температура, тем большими становятся кристаллы. При 800 С средний размер кристалла составляет 20 нм, при 825 С наблюдаются кристаллы со средним размером более 30 нм. Поскольку одним из факторов влияния на прозрачность является подходящий размер кристалла,стеклокристаллический материал, который был образован при 750 С в течение 4 х часов, оказался самым прозрачным из всех. При увеличении размера кристалла с повышением температуры тепловой обработки вплоть до 775 С прозрачность была вс ещ выше по сравнению с необработанным материалом. Прозрачность измеряется как функция затухания, которая является суммой полной потери эффектов рассеяния и поглощения. Свыше 850 С оксифторидный стеклокристаллический материал становится непрозрачным. Закалнный стеклокристаллический материал может быть введн в пигмент. Оптимальный размер частиц для большей части применений в печати составляет порядка 3-10 мкм. После включения таких прозрачных оксифторидных стеклокристаллических частиц в прозрачное 7 16734 покрытие или в разбавитель типографской краски может быть применено невидимое кодирование изделия. Поскольку могут быть разработаны оксифторидные стеклокристаллические пигменты с излучающими свойствами, которые не отвечают излучению возбуждения обычно используемых длин волн,то становится очень трудно для потенциального фальсификатора локализовать и идентифицировать маркировку или же воспроизвести технологию получения пигмента. Ещ одной частью настоящего изобретения является усовершенствованный способ аутентификации защищнного изделия, который включает следующие стадии а) выбор, по крайней мере, одного повышающего преобразующего материала,имеющего электронную структуру, содержащую дискретные энергетические уровни б) выбор средств для испускания электромагнитного излучения, по крайней мере,одной первой предварительно выбранной длины волны и, по крайней мере, одной второй предварительно выбранной длины волны и произвольно других длин волн, в которых, по крайней мере, указанная первая и указанная вторая длины волн отличаются друг от друга в) воздействие на указанный повышающий преобразующий материал, выбранный в стадии а),излучения, по крайней мере, указанной первой и указанной второй предварительно выбранной длины волны, определнных в стадии б), причем первая длина волны промотирует, по крайней мере, один электрон с первого энергетического уровня, по крайней мере, на один второй энергетический уровень, который энергетически выше по сравнению с указанным первым уровнем, а указанная вторая длина волны промотирует указанный электрон со второго энергетического уровня, по крайней мере, на один третий энергетический уровень, причм указанный третий энергетический уровень энергетически выше, чем указанный второй энергетический уровень г) произвольно воздействие на указанный повышающий преобразующий материал дополнительного излучения, по крайней мере, ещ одной длины волны, которая промотирует электрон на энергетические уровни, которые энергетически выше по сравнению с указанным третьим уровнем д) регистрация спектра излучения в результате спада указанных возбужднных состояний указанного повышающего преобразующего материала е) анализ указанного спектра излучения на присутствие, по крайней мере, одной длины волны,которая является характеристической для спада, по крайней мере, одного электрона, по крайней мере, с указанного третьего или более высокого энергетического уровня. Первая и вторая предварительно выбранные длины волн должны быть выбраны таким образом,чтобы они отличались друг от друга, тогда как другие длины волн могут быть или одинаковыми,8 как первая и/или вторая длина волны, или могут быть все разными. Альтернативный способ аутентификации защищнного изделия включает следующие стадии а) выбор, по крайней мере, одного повышающего преобразующего материала,имеющего электронную структуру, включающую дискретные энергетические уровни б) выбор, по крайней мере, одного источника электромагнитного излучения, испускающего луч с длинами волн, превышающими предварительно выбранный диапазон частот, включающий, по крайней мере, одну первую длину волны,способную промотировать, по крайней мере, один электрон в повышающем преобразующем материале, выбранном в стадии а), с первого энергетического уровня, по крайней мере, на второй энергетический уровень, который энергетически выше, чем указанный первый уровень, и, по крайней мере, на одну вторую длину волны, способную промотировать указанный электрон со второго энергетического уровня, по крайней мере, на один третий энергетический уровень,который энергетически выше, чем указанный второй энергетический уровень причем указанная первая и указанная вторая длина волны отличаются друг от друга в) воздействие на указанный повышающий преобразующий материал, выбранный на стадии а),указанного луча с длинами волн, определнными на стадии б) г) измерение спектра поглощения указанного повышающего преобразующего материала д) анализ указанного спектра поглощения на полное и/или существенное поглощение предварительно выбранной длины волны, которая не является первой длиной волны, в частности,указанной второй длины волны. В этом способе излучение также испускается из повышающего преобразующего материала. Однако условия обнаружения основаны не на измерении испускаемого излучения,а на измерении характеристик поглощения. Линии поглощения наблюдаются на длинах волн, соответствующих спектральным переходам с заселнных уровней возбужднного состояния на свободные более высокие возбужднные уровни. Ещ один альтернативный способ аутентификации защищнного изделия включает следующие стадии а) выбор, по крайней мере, одного люминофора, имеющего электронную структуру,включающую дискретные энергетические уровни б) выбор, по крайней мере, одного источника электромагнитного излучения, испускающего, по крайней мере, одно излучение первой длины волны с интенсивностью, способной промотировать значительную часть указанного материала в первое или более высокое возбужднное состояние, и, по крайней мере, одно излучение второй длины волны,существенно отличающейся от указанной первой длины волны,которые соответствуют спектральному поглощению указанного материала в 16734 указанном первом или более высоком возбужднном состоянии в) воздействие на указанный материал,выбранный на стадии а), указанного источника электромагнитного излучения, определнного в стадии б) г) регистрация поглощения света указанного материала при указанной второй длине волны д) анализ зарегистрированного поглощения света стадии г) на присутствие или отсутствие указанного материала. Во всех способах аутентификации защищнного изделия повышающий преобразующий материал в стадии а) представляет собой, по крайней мере, часть защитной маркировки, приложенной и/или включнной в защищнное изделие. Ещ одной частью настоящего изобретения является защитная маркировка, обеспечивающая электромагнитное излучение определнной длины волны в качестве признака аутентификации, причем указанное электромагнитное излучение происходит в виде испускания из антистоксовского материала в результате возбуждения указанного антистоксовского материала электромагнитным излучением, по крайней мере, двух разных длин волн. В другом воплощении защитная маркировка является частью защищнного изделия. Изобретение далее раскрывается со ссылками на рисунки. Рис. 1 показывает схематическое изображение системы защиты изделия с повышающим преобразующим материалом и устройством аутентификации, включающим два источника электромагнитного излучения и устройство обнаружения. Рис. 2 показывает схематическое представление энергетических уровней и оптических переходов в повышающих преобразующих материалах а) материал с равномерно расположенными энергетическими уровнями, подходящими для единичного возбуждения длины волны (уровень техники) и б) материал с энергетическими уровнями,расположенными на различных дистанциях, требующий возбуждения множества длин волн, по крайней мере, двух длин волн. На рис. 1 показано устройство аутентификации 1, которое представляет собой часть системы защиты изделия настоящего изобретения. Устройство снабжено двумя лазерными диодами 2 и 3, которые способны испускать излучение, имеющее две различные длины волны 2 и 3. Их свет направляется на оптическую систему 4 посредством двух цветоизбирательных зеркал 5 и 6, а затем фокусируется на маркировке 7, содержащей повышающий преобразующий материал. Маркировка 7 наносится на поверхность изделия 7 а. Ответный сигнал маркировки 7 фокусируется той же самой оптической системой 4 и, пройдя через цветоизбирательные зеркала 5 и 6, направляется через фильтр 10 в фотодетектор 8. Этот пример осуществления изобретения с двумя источниками возбуждения позволяет эффективно получать повышающие преобразующие сигналы от антистоксовских материалов, которые имеют неравномерно расположенные энергетические уровни в своей электронной структуре. Схема микроконтроллера 9 подсоединена к источнику питания 12 и приводит в действие импульсные лазеры 2 и 4 с соответствующей последовательностью времени возбуждения. Схема контроллера 9 также получает выход от фотодетектора 8 для оценки повышающего преобразующего ответного сигнала. Может быть предусмотрен дисплей 11 для индикации результата процесса аутентификации. На рис. 2 схематически показаны два случая электронных энергетических уровней, которые встречаются в редкоземельных ионах повышающих преобразующих материалов. На рис. 2 а показана схема энергетического уровня материала, имеющего приблизительно эквидистантные энергетические уровни. Такие материалы подходят для возбуждения единичной длиной волны. В данном примере, осуществляемом,например, в 22 Ег, , иттербий (3) выступает в качестве иона сенсибилизатора, а эрбий (3) - в качестве иона активатора. При воздействии инфракрасного излучения с длиной волны 980 нм ион иттербия промотируется из своего основного состояния (27/2) в первое возбужднное состояние(25/2). Энергия возбужднного 3 впоследствии переходит к иону Е 3, промотируя его из его к первому основного состояния(415/2) возбужднному состоянию (411/2). При дальнейшем воздействии на возбужднный ион Е 3 инфракрасным излучением с длиной волны 980 нм он может быть промотирован во второе, более высокое возбужднное состояние (47/2). Это второе возбужднное состояние переходит безызлучательно в долгоживущее (43/2) состояние,которое, в свою очередь, переходит в основное состояние (415/2) иона Е 3 с излучением зелного света с длиной волны 550 нм. На рис. 2 б показана схема энергетических уровней повышающего преобразующего материала с неравномерно расположенными энергетическими уровнями маркировки 7 рис. 1. Такие материалы требуют возбуждения двумя длинами волн или множеством длин волн при использовании комбинации двух или нескольких лазеров. В качестве примера показаны схема энергетических уровней и двухэтапный механизм преобразования иона Р 3 с повышением частоты в оксифторидном стеклокристаллическом композите. Рассмотрим случай, когда кристаллическим компонентом стеклокристаллического материала является люминесцентная матрица-основа 3. Облучение материала инфракрасным излучением первой предварительно выбранной длины волны(1014 нм) промотирует часть ионов Р 3 из основного состояния 34 в возбужднное состояние 1 4. Из этого последнего нельзя достичь последующего возбужднного состояния воздействием излучения с длиной волны 1014 нм. 9 16734 Однако дополнительное облучение материала второй, более короткой длиной волны (850 нм),промотирует некоторые из возбужднных ионов Р 3 из состояния 14 в более высокое возбужденное состояние 32. Возбужднное состояние 32 последовательно безызлучательно переходит в состояние 30, которое, в свою очередь, переходит в состояние 35 с испусканием видимого излучения с длиной волны 530 нм. Состояние 35 затем переходит безызлучательно в основное состояние 3 4. Когда лазеры работают в импульсном режиме,импульсное возбуждение повышающего преобразующего материала должно происходить при соответствующем совпадении во времени и пространстве для того, чтобы был гарантирован успех второго возбуждения, которое должно произойти в течение времени жизни заселнности первого возбужднного состояния. То же самое справедливо для случаев, когда даже более высокие состояния должны быть достигнуты при использовании излучения с другими длинами волн. Однако в некоторых случаях задержка во времени в диапазоне от 0,1 мкс до 1000 мкс между импульсами различных длин волн может быть полезной,поскольку позволит осуществиться в материале определенным внутренним процессам переноса энергии, которые приводят к заселнности требуемого возбужднного состояния. Поскольку такие внутренние процессы переноса энергии являются специфичными для каждого материала,импульсное возбуждение двумя или множеством длин волн с соответствующими задержками во времени предлагает путь для конструирования и идентификации ещ более специфически идентифицируемых люминофоров. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ 1. Система защиты изделия от подделки,содержащая защитную маркировку, по крайней мере, часть которой выполнена из, по крайней мере,одного повышающего преобразующего материала с,по крайней мере, одним активирующим ионом, и одно устройство аутентификации, отличающаяся тем, что активирующий ион имеет дискретные энергетические уровни,а устройство аутентификации содержит, по крайней мере, один источник электромагнитного излучения, по крайней мере, одной первой предварительно выбранной длины волны, и, по крайней мере, один второй источник электромагнитного излучения, по крайней мере, одной второй предварительно выбранной длины волны, причем указанные первая и вторая длины волн отличаются друг от друга и выбраны таким образом,чтобы повышающий преобразующий материал испускал электромагнитное излучение в ответ на комбинированное облучение, по крайней мере, с указанной первой и второй длинами волн, а указанное испущенное электромагнитное излучение содержит излучение, по крайней мере, ещ одной третьей длины волны,являющейся 10 характеристической для возврата, по крайней мере,одного электрона с энергетического уровня указанного активирующего иона, на который, по крайней мере, указанный электрон переходит при возбуждении комбинированным облучением, по крайней мере, указанной первой, и, по крайней мере, указанной второй длины волны. 2. Система защиты изделия по п. 1, отличающаяся тем, что первый и второй источник электромагнитного излучения содержат один лазер. 3. Система защиты изделия по п. 2, отличающаяся тем, что указанный лазер работает в импульсном режиме. 4. Система защиты изделия по любому из п. 1-3,отличающаяся тем, что указанное устройство аутентификации содержит, по крайней мере, одно оптоэлектронное устройство обнаружения. 5. Система защиты изделия по любому из п. 1-4,отличающаяся тем, что указанное устройство аутентификации дополнительно содержит оптические элементы для направления и/или фокусировки лазерного луча на повышающий преобразующий материал. 6. Система защиты изделия по любому из п. 1-5,отличающаяся тем, что дополнительная третья длина волны электромагнитного излучения,испускаемого из повышающего преобразующего материала защитной маркировки, находится в диапазоне между 150 нм и 3000 нм. 7. Система защиты изделия по п. 6, отличающаяся тем, что дополнительная третья длина волны электромагнитного излучения, испускаемого из повышающего преобразующего материала защитной маркировки, находится в диапазоне между 400 нм и 700 нм. 8. Система защиты изделия по п. 6, отличающаяся тем, что дополнительная третья длина волны электромагнитного излучения, испускаемого из повышающего преобразующего материала защитной маркировки, находится в диапазоне между 180 нм и 400 нм. 9.Система защиты изделия по п. 6, отличающаяся тем, что дополнительная третья длина волны электромагнитного излучения, испускаемого из повышающего преобразующего материала защитной маркировки, находится в диапазоне между 700 нм и 2700 нм, предпочтительно в диапазоне между 1100 нм и 2500 нм. 10. Система защиты изделия по п. 1-9, отличающаяся тем, что повышающий преобразующий материал защитной маркировки выбран таким, что его вторичное излучение,представляющее аналоговый сигнал, имеет возможность быть преобразованным в машиночитаемый цифровой код. 11. Система защиты изделия по любому из п. 1-10, отличающаяся тем, что указанный повышающий преобразующий материал защитной маркировки включает, по крайней мере, один кристаллический компонент, выбранный из группы,состоящей из чистых или смешанных щелочных и щелочноземельных галогенидов лантанидов, чистых или смешанных оксигалогенидов иттрия, лантана и 16734 гадолиния и оксисульфидов иттрия, лантана и гадолиния, в качестве матрицы-основы, имеющей произвольно включнные редкоземельные ионы в качестве активаторов и,произвольно,сенсибилизаторы. 12. Система защиты изделия по п. 1-11, отличающаяся тем, что указанный повышающий преобразующий материал защитной маркировки содержит стеклокристаллические частицы,13. Система защиты изделия по любому из п. 1-12, отличающаяся тем, что указанный повышающий преобразующий материал защитной маркировки представляет собой пигмент с размером частиц в диапазоне между 0,1 мкм и 50 мкм,предпочтительно - в диапазоне между 1 мкм и 20 мкм и ещ более предпочтительно - в диапазоне между 3 и 10 мкм,14. Система защиты изделия по п. 12,отличающаяся тем, что указанный кристалллический компонент указанного стеклокристаллического композиционного материала защитной маркировки имеет энергию фонона,не превышающую 580 см, предпочтительно - не превышающую 400 см-1,и ещ более предпочтительно - не превышающую 350 см -1. 15. Система защиты изделия по п. 12 или 14,отличающаяся тем,что указанный стеклокристаллический композиционный материал защитной маркировки существенно прозрачен для электромагнитного излучения в диапазоне между 400 и 750 нм. 16. Система защиты изделия по любому из п. 1215, отличающаяся тем, что кристаллы указанного стеклокристаллического материала защитной маркировки имеют средние размеры, равные или меньше 50 нм, предпочтительно - равные или меньше 40 нм. 17. Система защиты изделия по любому из п. 1216, отличающаяся тем, что кристаллический компонент указанного стеклокристаллического композиционного материала защитной маркировки содержит, по крайней мере, один активный ион для обеспечения свойств преобразования длинных волн света в короткие. 18. Система защиты изделия по п. 17,отличающаяся тем, что указанным активным ионом и, произвольно, указанным сенсибилизатором защитной маркировки является редкоземельный ион, предпочтительно выбранный из группы следующих 3, 3, 3, 3, 3,3, 3, 3, 3 и 3. 19. Система защиты изделия по любому из п. 1218,отличающаяся тем,что указанный стеклокристаллический материал защитной маркировки является оксифторидным. 20. Система защиты изделия по п. 19,отличающаяся тем,что указанный кристаллический компонент стеклокристаллического композиционного материала защитной маркировки содержит 3 21. Система защиты изделия по п. 19 или 20,отличающаяся тем, что стеклянная матрица указанного стеклокристаллического компози ционного материала защитной маркировки состоит главным образом из 2232. 22. Способ аутентификации защищенного изделия с использованием системы защиты,содержащей защитную маркировку изделия, по крайней мере, часть которой выполнена из, по крайней мере,одного повышающего преобразующего материала с, по крайней мере,одним активирующим ионом, имеющим дискретные энерегетические уровни, и одно устройство аутотентификации, включающий воздействие на указанный повышающий преобразующий материал электромагнитным излучением,регистрацию спектра излучения из указанного повышающего преобразующего материала и анализ указанного спектра излучения, отличающийся тем, что используют систему защиты изделия по п.п. 1-21 и способ осуществляют следующим путем а) выбирают, по крайней мере, один повышающий преобразующий материал, имеющий электронную структуру, содержащую дискретные энергетические уровни б) выбирают средство для испускания электромагнитного излучения, по крайней мере,одной первой предварительно выбранной длины волны и, по крайней мере, одной второй предварительно выбранной длины волны и,произвольно, других длин волн, в которых, по крайней мере, указанная первая и указанная вторая длины волн отличаются друг от друга в) воздействуют на указанный повышающий преобразующий материал, выбранный на стадии а),излучением, по крайней мере, указанной первой и указанной второй предварительно выбранной длины волны, определнной на стадии б), причем первая длина волны промотирует, по крайней мере, один электрон с первого энергетического уровня, по крайней мере, на один второй энергетический уровень, который энергетически выше, чем первый уровень, а указанная вторая длина волны промотирует указанный электрон со второго энергетического уровня, по крайней мере, на один третий энергетический уровень,который энергетически выше, чем второй энергетический уровень г) произвольно воздействуют на повышающий преобразующий материал дополнительным излучением, по крайней мере, ещ одной длины волны,которая промотирует электрон на энергетические уровни, которые энергетически выше, чем третий уровень д) регистрируют спектр излучения, являющийся результатом спада указанных возбужднных состояний указанного повышающего преобразующего материала е) анализируют указанный спектр излучения на присутствие, по крайней мере, одной длины волны,которая является характеристической для спада, по крайней мере, одного электрона, по крайней мере,из указанного третьего или более высокого энергетического уровня. 23. Способ аутентификации защищенного изделия с использованием системы защиты,11 16734 содержащей защитную маркировку изделия, по крайней мере, часть которой выполнена из, по крайней мере,одного повышающего преобразующего материала с, по крайней мере,одним активирующим ионом, имеющим дискретные энергетические уровни, и одно устройство аутотентификации, включающий воздействие на указанный повышающий преобразующий материал электромагнитным излучением, измерение спектра поглощения указанного повышающего преобразующего материала и анализ указанного спектра поглощения, отличающийся тем, что способ осуществляют следующим путем а) выбирают, по крайней мере один повышающий преобразующий материал, имеющий электронную структуру, включающую дискретные энергетические уровни б) выбирают, по крайней мере, один источник электромагнитного излучения, испускающий луч,длины волн которого находятся в пределах предварительно выбранного диапазона частот,содержащего, по крайней мере, одну первую длину волны, способную промотировать, по крайней мере,один электрон в повышающем преобразующем материале, выбранном на стадии а), с первого энергетического уровня, по крайней мере, на один второй энергетический уровень,который энергетически выше, чем первый уровень, и, по крайней мере, одну вторую длину волны, способную промотировать указанный электрон со второго энергетического уровня, по крайней мере, на один третий энергетический уровень,который энергетически выше, чем второй энергетический уровень причем указанная первая и указанная вторая длины волн отличаются друг от друга в) воздействуют на указанный повышающий преобразующий материал, выбранный на стадии а),указанным лучом длин волн, определнных на стадии б) г) измеряют спектр поглощения указанного повышающего преобразующего материала д) анализируют указанный спектр поглощения для полного и/или существенного поглощения предварительно выбранной длины волны, за исключением первой длины волны, в частности,указанной второй длины волны. 24. Способ аутентификации защищенного изделия с использованием системы защиты,содержащей защитную маркировку изделия, по крайней мере, часть которой выполнена из, по крайней мере, одного люминесцентного материала,имеющего электронную структуру с дискретными энерегетическими уровнями, и одно устройство аутотентификации, включающий воздействие на указанный люминесцентный материал электромагнитным излучением,регистрацию поглощения света указанного люминесцентного материала и анализ указанного поглощения света,отличающийся тем, что способ осуществляют следующим путем а) выбирают, по крайней мере, один люминофор,имеющий электронную структуру, содержащую дискретные энергетические уровни б) выбирают, по крайней мере, один источник электромагнитного излучения, испускающегося, по крайней мере, при одной первой длине волны с интенсивностью,способной промотировать значительную часть указанного материала в первое или более высокое возбужднное состояние, и по крайней мере, при одной второй длине волны,существенно отличающейся от указанной первой длины волны, соответствующей спектральному поглощению указанного материала в указанном первом или более высоком возбужднном состоянии в) воздействуют на указанный материал,выбранный на стадии а),указанным электромагнитным излучением, определнным на стадии б) г) регистрируют поглощение света указанного материала при указанной второй длине волны д) анализируют зарегистрированное поглощение света стадии г) на присутствие или отсутствие указанного материала. 25. Защитная маркировка, по крайней мере, часть которой выполнена из антистоксовского материала,обеспечивающего электромагнитное излучение определенной длины волны в качестве аутентификационного признака, отличающаяся тем, что указанный антистоксовский материал выбран таким, что он способен на указанное электромагнитное излучение при возбуждающем воздействии на него электромагнитного излучения,по крайней мере, двух различных длин волн. 26. Изделие, снабжнное защитной маркировкой,по крайней мере, часть которой выполнена из антистоксовского материала, обеспечивающего электромагнитное излучение определнной длины волны в качестве аутотентификационного признака,отличающееся тем,что указанный антистоксовский материал выбран таким, что он способен на указанное электромагнитное излучение при возбуждающем воздействии на него электромагнитного излучения, по крайней мере,двух различных длин волн.