Способ получения оксида фосфора /V/ особой чистоты
Номер предварительного патента: 3203
Опубликовано: 15.03.1996
Авторы: Бейсембаев Бахитжан Тлеумбетович, Султанбекова Зиада Искаковна, Калмаганбетов Рахимберды Бердибекович, Тё Алексей Юн-Ченович
Формула / Реферат
Изобретение позволяет получить особо чистый фосфор (V) оксид, пригодный для использования в кристаллооптике и микроэлектронике, для получения особо чистой фосфорной кислоты и других производных фосфора.
Изобретение позволяет повысить качество фосфор (V) оксида, увеличить производительность процесса и повысить выход продукта.
Способ осуществляется за счет углубленной очистки фосфора смесью тетрахлорида углерода, воды и пероксида водорода, взятых в массовом соотношении Р4:ССl4:Н2O: 30%-ая Н2О2= 1:0,3:0,25:0,03 при перемешивании и температуре 55°С, с последующей обработкой фосфора водяным паром при температуре 80-90°С в течение двух часов. Сжигание фосфора осуществляют в токе смеси осушенного воздуха с кислородом (содержание О2 10-40 объемных % предпочтительно 10-20 объемных %), продукты сжигания выдерживают 1-2 сек. при температуре 730-860°С, а затем фосфор (V) оксид выделяют в виде кристаллического в последовательно соединенных десублиматорах.
МПК / Метки
МПК: C01B 25/12
Метки: особой, способ, получения, оксида, фосфора, чистоты
Код ссылки
<a href="https://kz.patents.su/0-pp3203-sposob-polucheniya-oksida-fosfora-v-osobojj-chistoty.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ получения оксида фосфора /V/ особой чистоты</a>
Предыдущий патент: Способ получения кремния
Следующий патент: Передача с автоматически регулируемой скоростью
Случайный патент: Способ получения серебренной полиимидной пленки и трековый детектор на ее основе