Способ получения диоксида ванадия
Номер предварительного патента: 18190
Опубликовано: 15.01.2007
Авторы: Саурамбаева Людмила Ивановна, Сембаев Даурен Хамитович, Ивановская Фаина Алексеевна, Новохатская Алла Николаевна
Формула / Реферат
Изобретение относится к технологии неорганических соединений, а именно к способу получения стехиометрического диоксида ванадия (VO2), который используется как полупроводник в различных электронных и электротехнических устройствах. В результате восстановления V2O5 водой при температуре 450-500 °С путем пропускания воды через слой исходного вещества в количестве 0,25-3,15 г на 1 г V2O5 в час получают стехиометрический диоксид ванадия с выходом 100 % высокой степени чистоты. Способ получения VO2 является безотходным и экологически чистым.
МПК / Метки
МПК: C01G 31/02
Метки: получения, ванадия, диоксида, способ
Код ссылки
<a href="https://kz.patents.su/0-pp18190-sposob-polucheniya-dioksida-vanadiya.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ получения диоксида ванадия</a>
Предыдущий патент: Транспортное средство со сменным движителем
Следующий патент: Способ восстановления хромсодержащего материала
Случайный патент: Многодвигательный электропривод переменного тока